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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种用于碳化硅功率模块的新型连续可变栅极电压控制概念

A Novel Continuously Variable Gate Voltage Control Concept for Silicon Carbide Power Modules

Ahmad Al-Hmoud · Yushi Yang · Yue Zhao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月

本文提出了一种新型栅极驱动概念,利用高达60 MHz的高频调制信号实现栅极电压的连续调节。该连续可变栅极驱动器(CVGD)能够灵活调整驱动曲线,从而优化碳化硅(SiC)功率模块的开关性能,在提升效率与降低电磁干扰之间实现更优平衡。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有深远影响。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC器件,驱动电路的优化直接决定了整机的功率密度与效率。CVGD技术通过动态调节栅极电压,能有效抑制SiC器件在高频开关下的电压尖峰和振荡,显著提升系统可靠性并降低E...