找到 2 条结果
用于SEPIC变换器电压调节的嵌入式滑模控制器设计与实验验证
Design and Experimental Validation of an Embedded Sliding Mode Controller for Voltage Regulation With SEPIC Converters
Gianmario Rinaldi · Prathyush P Menon · Antonella Ferrara · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
本文针对单端初级电感变换器（SEPIC）的输出电压调节问题，提出了一种基于二阶次优滑模（2-SOSM）的实用控制方案。与传统假设不同，本文考虑了损耗型SEPIC模型，给出了简洁的数学表达，并进行了实验验证，旨在提升变换器在复杂工况下的动态性能与鲁棒性。
解读: SEPIC变换器常用于光伏微型逆变器或户用储能系统的DC-DC级，其非线性特性对控制算法提出了较高要求。本文提出的二阶次优滑模控制（2-SOSM）相比传统PID控制，具有更强的抗干扰能力和动态响应速度。对于阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能PCS产品线，该算法可优化DC-DC变换级的电压调节性能，减...
分裂栅沟槽MOSFET在分布式效应引起临界条件下的行为
Behavior of Split-Gate Trench MOSFETs in Critical Conditions Caused by Distributed Effects
R. Tambone · A. Ferrara · F. Magrini · R. J. E. Hueting · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
分裂栅沟槽（SGT）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种垂直功率器件，其深沟槽内设有独立的场板（FP）。这种设计通过降低表面电场（RESURF）效应提高了击穿电压（BV）。然而，在快速瞬态开关操作期间，器件各部分可能会出现电压波动。这些波动是由分布效应引起的，可能导致过早击穿、电流拥挤，在最坏的情况下还会导致器件失效。在这项工作中，采用晶圆级传输线脉冲（TLP）测试装置并结合技术计算机辅助设计（TCAD）模拟，来分析SGT MOSFET在分布效应导致的临界条件下的行为。...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于分栅沟槽MOSFET（SGT MOSFET）的研究对我们的核心产品线具有重要的技术参考价值。作为光伏逆变器和储能系统的关键功率器件，MOSFET的性能直接影响系统效率、可靠性和功率密度。 SGT MOSFET通过RESURF效应提升击穿电压的设计理念，与我们在高压...