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一种用于硅基和宽禁带晶体管的最小占位面积、高功率密度、低成本的低侧/高侧栅极驱动及供电方案
Novel Low-Side/High-Side Gate Drive and Supply With Minimum Footprint, High Power Density, and Low Cost for Silicon and Wide-Bandgap Transistors
Jan Kacetl · Tomas Kacetl · Malte Jaensch · Stefan M. Goetz · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
针对硅基FET、IGBT及宽禁带半导体器件在关断状态下对负压的需求，本文提出了一种紧凑且高效的高低侧栅极驱动及供电配置方案。该方案旨在提升驱动电路的功率密度，降低成本，并确保器件在开关过程中的可靠性与抗干扰能力。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高的应用价值。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC和GaN等宽禁带半导体，驱动电路的紧凑性与可靠性直接决定了整机的功率密度与散热设计。该方案提出的低成本、高功率密度驱动架构，有助于进一步优化逆变器及PCS的P...