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用于抗ESD驱动应用的RESURF LDMOS器件的极高ESD失效电压
Extremely High ESD Failure Voltage of RESURF LDMOS Devices for ESD Resilient Driver Applications
Aakanksha Mishra · M. Monishmurali · B. Sampath Kumar · Shaik Ahamed Suzaad 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
本研究报告了横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件在传输线脉冲（TLP）特性中呈现出的极高静电放电（ESD）失效电压，同时探究了临界电压与细丝形成之间的关联。高失效电压能在高压（HV）输入/输出应用中为过电压应力提供额外保护，从而使器件对ESD损伤具备更强的抵抗力。本文详细研究了漂移区存在降低表面电场（RESURF）注入的LDMOS器件的ESD行为。此外，通过测量和三维工艺及器件仿真（3 - D TCAD），探讨了影响RESURF LDMOS器件高失效电压的漂移区设计和电场工程方法。
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于RESURF LDMOS器件超高ESD（静电放电）失效电压的研究具有重要的应用价值。在光伏逆变器和储能系统中，功率半导体器件是核心部件，其可靠性直接影响整机性能和寿命。LDMOS器件因其优异的高压特性，已广泛应用于我司逆变器的驱动电路和高压I/O接口中。 该研究通...
具有高静电放电耐受性的热隔离有机场效应晶体管
Heat-Isolated Organic Field-Effect Transistors With Strong Electrostatic Discharge Tolerance
Zeyu Zhong · Yang Wang · Zhanpeng Cui · Yuan Wang 等5人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月
本征柔性的有机场效应晶体管（OFET）是可穿戴电子设备的理想组件。这类电子设备面临的一个重大挑战是人体静电放电（ESD），它会释放安培级的电流浪涌并产生显著的热耗散。由于有机半导体的分子堆积和电荷传输对温度变化（尤其是高温）较为敏感，因此OFET通常容易因静电放电而失效。在此，我们报道了一种热隔离型OFET（hiOFET），通过分散器件中的静电放电电流路径并隔离热耗散区域，提高了其静电放电耐受性。我们的策略使器件的失效水平达到了55.03 mA/mm，比传统晶体管结构的失效水平高出近1.7倍。此...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项热隔离有机场效应晶体管（hiOFET）技术虽然聚焦于柔性电子领域，但其核心的抗静电放电（ESD）防护理念对我司产品具有重要的借鉴价值。 在光伏逆变器和储能系统的实际应用场景中，ESD是导致功率半导体器件失效的主要威胁之一。该论文提出的"分散电流路径+隔离热耗散区域"双...