找到 3 条结果
协调关键矿产资源与储能一体化的中国可再生能源转型
Harmonizing critical mineral resources with storage-integrated renewable energy transition in China
Mengyao Han · Pengfa Li · Energy Conversion and Management · 2025年1月 · Vol.333
摘要 在雄心勃勃的双碳目标驱动下，中国的可再生能源正在快速发展，然而由于关键矿产资源的稀缺性，这一转型可能面临潜在瓶颈。现有评估在很大程度上忽视了能源存储系统的整合，可能导致可持续转型战略不完整。为弥补这一空白，本研究指出，中国雄心勃勃的可再生能源目标还将显著增加对储能所需矿产的需求。在此背景下，本研究采用动态物质流分析方法，结合五种共享社会经济路径和十一种技术情景，对中国2020年至2060年储能一体化可再生能源转型过程中23种关键矿产的需求量与稀缺性进行预测。结果表明，到2060年，这些关键...
解读: 该研究揭示中国储能集成可再生能源转型中关键矿产需求将激增26.8倍,对阳光电源ST系列储能变流器及PowerTitan系统具有战略指导意义。研究指出的锗、铟等稀缺材料制约,促使我们在SiC/GaN功率器件选型、三电平拓扑设计中优化材料使用效率,并通过iSolarCloud平台延长设备全生命周期,降低...
基于原位形成AgIn₂涂层的铟热界面材料无助焊剂键合技术研究
Investigation on Indium Thermal Interface Materials Fluxless Bonding Technology via In Situ Formed AgIn₂ Coating
Jing Wen · Yi Fan · Guoliao Sun · Jinyang Su 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2024年12月
铟（In）是高功率中央处理器（CPU）芯片广泛采用的焊料热界面材料（TIM1），这主要是因为它能提升散热性能。然而，在焊球回流过程中，被困在铟焊料内的有机助焊剂残留物会释放气体，导致铟TIM1中产生大量空洞（空洞率约35%），这限制了其在先进球栅阵列（BGA）封装中的应用。在本文中，为实现无助焊剂铟回流并获得低空洞率的铟TIM1，在厚铟TIM1表面电镀一层薄银（Ag）层，以原位生成AgIn₂涂层，该涂层可防止铟氧化。因此，回流过程中无需使用助焊剂去除焊料的氧化层。经过一次铟回流和三次焊球回流后，...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项铟基无助焊剂热界面材料技术具有重要的应用价值。在光伏逆变器和储能系统中，功率半导体器件（如IGBT、SiC MOSFET）的散热性能直接影响系统的可靠性和功率密度。随着我们产品向更高功率密度和更严苛环境应用发展，传统TIM材料的空洞问题（35%空洞率）严重制约了散热效率...
大尺寸倒装芯片封装中铟基热界面材料的热-机械可靠性及疲劳寿命增强研究
Investigation on Thermal-Mechanical Reliability and Enhanced Fatigue Life of Indium Thermal Interface Materials for Large-Size Flip Chip Packaging
Yiou Qiu · Zhen Liu · Linzheng Fu · Mingming Yi 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年5月
随着大型芯片热管理需求的增长，铟因其固有的高导热性和良好的延展性，被认为是一种理想的热界面材料（TIM）。对于大型倒装芯片封装而言，如何提高其可靠性，尤其是在温度循环条件下的可靠性，仍是一项挑战。本研究以大型倒装芯片封装为研究对象，采用有限元模拟与实验相结合的方法，系统分析了温度循环条件下铟的蠕变行为和形态演变。在此基础上，运用基于应变的科芬 - 曼森模型预测了铟的疲劳寿命。为提高温度循环条件下铟层的可靠性，采用实验设计（DOEs）模拟方案分析了不同结构参数对疲劳寿命的影响。结果表明，靠近芯片边...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于铟基热界面材料在大尺寸倒装芯片封装中的热机械可靠性研究具有重要的技术参考价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中，大功率IGBT、SiC等功率半导体器件的热管理一直是制约系统可靠性和功率密度提升的关键瓶颈。 该研究通过有限元仿真与实验相结合的方法，系统分析了铟材...