Pablo González-Vizuete · Joaquín Bernal-Méndez · Manuel J. Freire · María A. Martín-Prats · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月

在紧凑型电磁干扰（EMI）滤波器中，组件间的磁耦合是导致高频段（数百kHz至数MHz）传导发射抑制能力下降的主要原因。本文分析并对比了基于铜带（高导电性）和铁氧体薄片（高磁导率）的两种屏蔽策略，旨在优化功率变换器EMI滤波器的性能。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、小型化方向发展，EMI滤波器的设计难度显著增加。高频磁耦合干扰是制约产品电磁兼容性（EMC）达标的关键瓶颈。本文提出的金属与铁氧体屏蔽策略，可有效优化逆变器及PCS内部功率模块的布局设计，减少寄生参数影响。建议...