找到 2 条结果
一种基于SEPIC的新型DCM软开关高频高升压变换器
A Novel DCM Soft-Switched SEPIC-Based High-Frequency Converter With High Step-Up Capacity
Shanshan Gao · Yijie Wang · Yining Liu · Yueshi Guan 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月
本文提出了一种基于SEPIC的新型断续导通模式（DCM）软开关高频变换器，具备高电压增益和低电压应力的优势。该电路通过集成开关电感与耦合电感改进了SEPIC结构，并引入谐振单元实现软开关，有效提升了功率变换效率。
解读: 该拓扑结构在高升压比和软开关技术方面的创新，对阳光电源的组串式光伏逆变器（尤其是针对低压光伏组件的升压电路）以及户用储能系统中的DC-DC变换环节具有重要参考价值。高升压能力有助于减少光伏组件串联数量，提升系统安全性；而软开关技术能显著降低开关损耗，提升整机效率。建议研发团队关注该拓扑在提升功率密度...
基于鳍线双层近场耦合的高功率耐受氮化镓太赫兹高速片上调制器
High-Power-Handling GaN Terahertz High-Speed On-Chip Modulator Based on Fin-Line Double-Layer Near-Field Coupling
Hui Zhang · Yazhou Dong · Chunyang Bi · Kesen Ding 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年9月
为应对传统太赫兹调制器在功率处理、调制速率和系统集成协同优化方面的技术挑战，本文提出一种工作在140 GHz频段的高功率处理氮化镓（GaN）太赫兹高速片上调制器。该器件采用鳍线双层近场耦合结构，并采用加载GaN肖特基势垒二极管（SBD）的谐振单元设计。通过控制二极管的开关状态，实现了双间隙谐振模式和闭环谐振模式之间的动态切换，在139.4 - 149 GHz频率范围内实现了20 dB的调制深度和6 dB的低插入损耗。此外，通过扩大谐振单元间隙两侧的金属面积，有效降低了电场峰值强度。结合GaN材料...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于氮化镓（GaN）的太赫兹调制器技术虽然主要面向通信领域，但其核心技术特性与我们在功率电子器件领域的发展方向高度契合，具有重要的技术借鉴价值。 首先，该技术对GaN材料的深度应用印证了我们在光伏逆变器和储能变流器中采用GaN功率器件的战略正确性。论文展示的3.3 M...