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GaAs (110)衬底和GaAs/AlGaAs核壳纳米线的光伏效应
Photovoltaic effects of the GaAs (110) substrate and GaAs/AlGaAs core–shell nanowires
Noriyuki Urakami · Rin Funase · Yuri Suzuki · Keisuke Minehisa · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127
研究了GaAs (110)衬底及GaAs/AlGaAs核壳纳米线的光伏特性。通过分子束外延法生长纳米线结构，并利用表面光电压谱和时间分辨光致发光技术分析载流子动力学行为。结果表明，核壳结构显著增强了光生载流子的分离效率与寿命，且(110)取向衬底具有优异的光吸收与电荷输运性能。该工作为高效III-V族半导体纳米线光伏器件的设计提供了实验依据。
解读: 该GaAs/AlGaAs核壳纳米线光伏技术对阳光电源具有前瞻性研究价值。核壳结构显著提升的载流子分离效率与寿命，可为SG系列光伏逆变器的MPPT算法优化提供新型高效光伏电池的特性参数支持。(110)取向衬底的优异光吸收与电荷输运性能，对开发高转换效率的III-V族多结太阳能电池具有指导意义，可应用于...
p-GaN栅极HEMT在单粒子烧毁条件下载流子抽取相关失效机制的对比分析
Comparative Analysis of Carrier Extraction Related Failure Mechanisms in P-GaN HEMTs Under Single-Event Burnouts
作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月
本文通过基于 <inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">$181Ta^{{31}+}$ </tex-math></inline-formula> 离子辐射实验和 TCAD 仿真的对比分析，探讨了 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管（HEMT）在单粒子烧毁（SEB）情况下与...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于p-GaN HEMT器件单粒子烧毁机制的研究具有重要的战略价值。GaN基功率器件凭借其高频、高效、高功率密度的特性，正成为光伏逆变器和储能变流器的核心技术方向，直接影响系统的转换效率和可靠性。 该研究通过辐射实验和TCAD仿真，系统揭示了载流子提取路径对器件抗辐射...