MoS₂/p-Si界面的大横向光伏效应与空间电阻效应

Large Lateral Photovoltaic Effect and Spatial Resistance Effect on MoS₂/p-Si Interface

作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

深入研究光与物质相互作用产生的新现象是一项至关重要的科学研究工作。在本报告中，我们研究了520 nm激光激发下p - Si表面的横向光生伏特效应和空间电阻。由于p - Si的表面态，横向光生电压灵敏度可达286 mV/mm，空间电阻变化率可达1059%。然后，我们通过在Si表面生长三种不同形貌的MoS₂来调控这两种效应。由于MoS₂纳米颗粒的光敏特性，横向光生电压灵敏度可提高至368 mV/mm，而空间电阻变化率可达2202%。在此过程中，我们观察到一个新现象，即经MoS₂修饰的p - Si表面...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文揭示的MoS₂/p-Si界面横向光伏效应和空间电阻效应具有重要的前瞻性研究价值，但距离商业化应用尚有较大距离。 **技术价值分析：** 该研究展示了通过MoS₂纳米颗粒修饰硅表面，可将横向光电压灵敏度提升至368 mV/mm，空间电阻变化率达到2202%。这种显著的...