硫化时间对化学浴沉积法制备Bi2S3薄膜性能的影响

Influence of sulfurization time on the properties of Bi2S3 films synthesized via chemical bath deposition

Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps · institutional affiliations. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0

由于具有高吸收系数、直接带隙、地壳中丰富的元素组成以及环境友好等优异特性，硫化铋薄膜在光伏电池制备领域受到越来越多的关注。为此，本文研究了在恒定硫化温度350 ℃下，硫化时间对通过化学浴沉积（CBD）法制备的Bi2S3薄膜性能的影响。所制备的Bi2S3薄膜分别在350 ℃下硫化30、60和90分钟。X射线衍射图谱显示，所有不同硫化时间处理的薄膜均呈现以(130)晶面为主的正交晶系Pbnm空间群结构。硫化60分钟的薄膜表现出较大的晶粒尺寸，位错密度较低，晶格应变最小。拉曼光谱证实了Bi2S3特征的...

解读: 该硫化铋薄膜制备技术对阳光电源光伏逆变器产品线具有前瞻价值。研究表明60分钟硫化处理可获得1.37eV理想带隙的p型吸收层,其低成本、高吸收系数特性可启发SG系列组串逆变器在新型薄膜电池适配方面的MPPT算法优化。该材料的环境友好性与阳光电源绿色制造理念契合,可为1500V高压系统提供更高效率的光伏...