找到 2 条结果
异质结构与界面工程实现超宽禁带AlGaN的低阻接触
Heterostructure and interfacial engineering for low-resistance contacts to ultra-wide bandgap AlGaN
Yinxuan Zhu · Sandia National Laboratories · Chandan Joishi · Jonathan Pratt 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
针对超宽禁带AlGaN半导体材料中欧姆接触电阻高的挑战，本研究提出了一种基于极化诱导电荷调控的异质结构与界面协同工程策略。通过设计AlGaN/GaN超晶格缓冲层并优化金属-半导体界面特性，有效增强了表面载流子浓度，降低了势垒高度。结合退火工艺调控界面化学态，实现了稳定且低比接触电阻（<5×10⁻⁵ Ω·cm²）的欧姆接触。该方法为高性能AlGaN基功率电子器件的发展提供了关键技术支撑。
解读: 该研究在AlGaN低阻接触方面的突破对阳光电源GaN功率器件的应用具有重要价值。通过异质结构与界面工程实现的低比接触电阻(<5×10⁻⁵ Ω·cm²)，可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的开关性能和导通损耗。特别是在1500V高压系统中，优化的欧姆接触可提高器件可靠性，有助...
材料创新与界面工程协同优化以缓解高功率氮化镓基蓝光激光二极管中的COD
Synergistic optimization of material innovation and interface engineering for COD mitigation in high-power GaN-based blue laser diodes
Qiangqiang Guo · Shuiqing Li · Heqing Deng · Zhibai Zhong 等7人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127
针对高功率GaN基蓝光激光二极管中常见的灾变性光学损伤（COD）问题，本文提出了一种材料创新与界面工程协同优化的策略。通过改进电子阻挡层设计并引入高Al组分渐变层，有效抑制了电子泄漏并提升了空穴注入效率；同时优化p型欧姆接触界面，显著降低了接触电阻与界面缺陷密度。实验结果表明，该协同优化方法大幅提高了器件的COD阈值与可靠性，为高性能激光二极管的开发提供了关键技术路径。
解读: 该研究在GaN器件COD可靠性提升方面的创新对阳光电源的高频化产品布局具有重要参考价值。通过材料与界面优化提升的GaN器件可靠性，可直接应用于新一代SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频DC/DC模块，以及车载OBC等对功率密度要求较高的产品。特别是其提出的界面工程优化方法，有助于提升阳光电源...