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功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 2.0

用于电动飞机推进的高比功率密度高效低温固态断路器模块开发

Module Development for a High Specific Power Density High-Efficiency Cryogenic Solid-State Circuit Breaker for Electrified Aircraft Propulsion

Shimul K. Dam · Ching-Hsiang Yang · Zhou Dong · Dehao Qin 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

针对电动飞机推进(EAP)系统对高效率、高重量功率密度的需求,本文开发了一种基于低温冷却氮化镓(GaN)器件的固态断路器(SSCB)模块。该模块适用于中压直流(MVdc)应用,通过低温技术显著提升了功率密度,为航空电力电子系统的轻量化提供了解决方案。

解读: 该研究聚焦于宽禁带半导体(GaN)在极端环境下的高功率密度应用,虽然目前主要针对航空领域,但其核心技术对阳光电源的电力电子产品演进具有参考价值。首先,GaN器件在低温或高效散热条件下的高频开关特性,可为未来组串式逆变器及小型化储能PCS(如PowerStack系列)的功率密度提升提供技术储备。其次,...