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功率器件技术 可靠性分析 功率模块 ★ 2.0

基于电压斜坡触发的马克思发生器电路中雪崩晶体管单脉冲失效研究

Investigation on Single Pulse Failure of Avalanche Transistors Triggered by Voltage Ramps in Marx Bank Circuits

Kaijun Wen · Lin Liang · Haoyang Fei · Ziyang Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

本文研究了基于雪崩双极结型晶体管(ABJT)的马克思发生器电路(MBC)中,由不同电压上升率(dV/dt)触发导致的器件失效问题。通过分析ABJT在单脉冲下的退化与失效特征,揭示了电压斜坡触发对器件可靠性的影响机理,为高压脉冲电源系统的设计与可靠性评估提供了理论依据。

解读: 该研究聚焦于雪崩晶体管在极端脉冲条件下的失效机理,属于功率电子器件的底层物理特性研究。虽然阳光电源的核心产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)主要采用IGBT、SiC等主流功率模块,而非雪崩晶体管,但该研究中关于dV/dt引起的器件应力分析和可靠性评估方法,对于提升阳光电源在复杂工况下...