找到 2 条结果
调制振幅反射光谱法映射有机场效应晶体管沟道内的载流子浓度与漂移速度
Modulated amplitude reflectance spectroscopy to map in-channel charge carrier concentration and drift velocity in organic field effect transistors
De Mey · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127
有机半导体在柔性电子和光谱优化光伏等领域具有广泛应用，但其器件效率较低且电荷传输机制尚不明确。传统的电流-电压特性分析为体相测量方法，在存在接触电阻等非理想情况下易导致参数误判。本研究利用调制振幅反射光谱（MARS）技术，通过振幅信号获取有机场效应晶体管在不同偏压下载流子分布的高分辨率二维图像。结果与实测的I-V及转移曲线一致，并用于验证工作状态下沟道内空间电势与电场分布的理论模型。MARS相位图像则提供了空间分辨的载流子动力学信息。
解读: 该有机半导体载流子表征技术对阳光电源功率器件研发具有方法学借鉴价值。MARS技术实现的沟道内载流子浓度与漂移速度二维映射，可类比应用于SiC/GaN功率器件的沟道特性分析，帮助优化ST储能变流器和SG逆变器中的功率模块设计。其非接触式空间分辨测量方法可规避接触电阻干扰，为三电平拓扑中器件的动态特性评...
CMOS反相器在红外激光脉冲下瞬态电流的理论模型及其在FDSOI技术中导致位翻转的研究
Theoretical Model of Transient Current in CMOS Inverter Under IR Laser Pulse Responsible of Bitflip in FDSOI Technology
L. Pichon · L. Le Brizoual · H. Djeha · E. Ferrucho Alvarez 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
提出了一种激光照射下MOS晶体管中感应瞬态光电流的理论模型，用于预估引发位翻转所需激光的入射功率面密度。该模型基于激光与半导体材料（硅）相互作用的物理效应，考虑了激光特性、硅的物理性质以及几何和工艺参数。结果凸显了体积效应，较厚的有源层会产生更多的电子 - 空穴对，从而使光电流水平更高，这使得这些结构对脉冲红外激光的故障注入更为敏感，特别是对于传统体CMOS技术和基于鳍式场效应晶体管（FINFET）的全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）技术而言。这个理论模型与基于光电晶体管的电气模型相结合，是一种很好...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这篇关于CMOS逆变器在红外激光脉冲下瞬态电流理论模型的研究，对我们的光伏逆变器和储能系统的功率半导体安全性具有重要警示意义。 该研究揭示了激光诱导光电流可能导致FDSOI技术中的位翻转现象，这直接关系到我们产品中功率控制芯片的可靠性。研究发现，较厚有源层会产生更高的光电...