找到 2 条结果
电压斜坡影响下的基极-发射极短接硅雪崩晶体管击穿特性
Avalanche Breakdown in the Base-Emitter-Shorted Silicon Avalanche Transistor Affected by Voltage Ramp
Long Hu · Hanqing Qiao · Jiahui Fu · Xiangyu Wang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月
本文探讨了基极和发射极短接的直流偏置雪崩双极结型晶体管（ABJT）在快速电压斜坡信号触发下的超快开关特性。施加快速的电压变化率（dV/dt）斜坡信号时，晶体管因强烈的雪崩电离效应而导通。研究发现，不同的dV/dt斜坡信号会使晶体管的开关特性和机制产生显著差异。因此，我们搭建了测试电路来研究单个ABJT的特性。在实验中，当斜坡信号的上升时间从2.2纳秒减小到181皮秒时，输出脉冲的上升时间分别从1.3纳秒减小到156皮秒。我们分别对上升时间为2.2纳秒和181皮秒的典型dV/dt斜坡信号下的开关瞬...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于基极-发射极短接硅雪崩晶体管（ABJT）超快开关特性的研究，对我们在高频功率转换领域具有重要参考价值。 该研究揭示了通过快速电压斜率（dV/dt）触发可实现亚纳秒级开关速度，当上升时间从2.2纳秒降至181皮秒时，输出脉冲上升时间可达156皮秒。这种超快开关特性对...
中压真空断路器开断后击穿电压特性的测量
Measurements of Breakdown Voltage Characteristics of Medium Voltage Vacuum Circuit Breaker After Current Interruption
Szymon Stoczko · Marcin Szewczyk · Waldemar Chmielak · Radosław Szreder 等5人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年2月
本文提出一种用于测量真空断路器开断后击穿电压特性的试验电路。该电路结合IEC 62271-101标准中的合成试验电路大电流部分与Rabus型高压部分，前者模拟过零后的实际电流条件，后者施加高压以获取击穿电压特性。通过调节大电流部分可反映影响灭弧室物理状态的实际开断电流条件。以一款商用12 kV/1250 A/31.5 kA真空断路器为例，测量击穿电压随时间的变化，并结合触头行程曲线转换为触头开距函数，使结果可适用于具有相同灭弧室特性但操动机构不同的断路器。
解读: 该真空断路器击穿电压特性测量技术对阳光电源中压储能系统具有重要应用价值。在PowerTitan等大型储能系统中，中压真空断路器是关键保护设备，其开断后的介质恢复特性直接影响系统可靠性。该研究提出的击穿电压-触头开距特性测量方法，可用于优化ST系列储能变流器的中压开关柜设计，特别是在短路故障开断后的重...