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芯片参数分散性对多芯片并联SiC MOSFET热安全工作区的影响
Impact of Chip Parameter Mismatch on Thermal Safe Operating Area of Parallel-Connected SiC MOSFETs
蒋馨玉 · 孙鹏 · 唐新灵 · 金锐 等5人 · 电工技术学报 · 2025年1月 · Vol.40
为评估多芯片并联SiC MOSFET在最高结温限制下的热安全工作区（TSOA），提出一种基于芯片-模块-系统级联合电热仿真与输出电流预测模型的评估方法，有效减少仿真次数并经实验验证。采用蒙特卡罗模拟分析芯片参数分散性对TSOA的影响，发现高开关频率下主导因素为阈值电压与栅源电压极差，低频下则为导通电阻与跨导均值。进一步通过TSOA灵敏度进行多目标优化分组，实现TSOA延拓。
解读: 该研究对阳光电源的高功率密度产品设计具有重要指导意义。SiC MOSFET多芯片并联是SG350HX等大功率光伏逆变器和PowerTitan储能系统的关键技术,研究成果可直接指导功率模块选型与分组优化。通过TSOA评估方法可提升产品可靠性设计水平,尤其适用于高开关频率、大电流的应用场景。对于储能双向...
基于单电压传感器旁路开关的光伏故障定位
A Single Voltage Sensor Bypass Switch-Based Photovoltaic Fault Localization
Ali Alhejab · Muhammad Abbasi · Shehab Ahmed · IEEE Journal of Photovoltaics · 2025年2月
光伏（PV）能源系统正成为可持续能源的重要来源。然而，这些系统中未被发现的故障可能会导致效率大幅降低。将这些故障定位到模块级别对于快速故障诊断和维持整个系统的效率至关重要。本文提出了一种新方法，可将 $N$ × $M$ 光伏系统中的串内故障、线路接地故障、跨串故障和部分遮挡故障定位到模块级别。该方法利用光伏系统汇流箱中的单个电压传感器，以及每串 $\lceil N/2 \rceil$ 个旁路开关，以便在出现故障时旁路连接的光伏模块。该技术首先依赖于识别故障串。一旦确定了故障串，就可以得出该串中每...
解读: 该单电压传感器旁路开关故障定位技术对阳光电源SG系列光伏逆变器和iSolarCloud智能运维平台具有重要应用价值。通过简化传感器配置实现组串级故障快速定位，可直接集成到SG系列逆变器的MPPT优化算法中，提升故障诊断精度的同时降低硬件成本。该方法与阳光电源现有的智能诊断系统形成互补，特别适用于大型...