找到 8 条结果

排序:
拓扑与电路 PFC整流 功率模块 户用光伏 ★ 4.0

无桥PFC拓扑简化及性能基准设计

Bridgeless PFC Topology Simplification and Design for Performance Benchmarking

Zhengge Chen · Bochen Liu · Yongheng Yang · Pooya Davari 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月

针对传统无桥PFC拓扑元件数量多、成本高的问题,本文提出了一套通用的拓扑简化方法。通过对典型变换器单元的简化过程分析,旨在降低系统复杂性并提升功率密度,为高性能电力电子变换器的设计提供基准参考。

解读: 该研究提出的PFC拓扑简化方法对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩产品线具有重要参考价值。在户用逆变器中,通过简化PFC级电路可有效提升功率密度,减小整机体积;在充电桩领域,优化PFC拓扑有助于降低器件数量,从而在保证高效率的同时降低BOM成本,提升产品市场竞争力。建议研发团队评估该简化方法在...

拓扑与电路 PFC整流 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

无桥星型功率因数校正架构

Bridgeless Star Power Factor Correction Architecture

Lei Wang · Sinan Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

两级无桥功率因数校正(PFC)架构广泛应用于高功率AC/DC领域。然而,该架构前端常面临连续导通模式(CCM)下开关损耗高,或在临界导通模式及其他软开关模式下导通与磁损耗大的挑战,限制了系统效率与功率密度的进一步提升。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。随着充电桩向高功率密度和高效率演进,无桥PFC架构的优化直接关系到产品体积与散热成本。建议研发团队关注该架构在降低开关损耗方面的潜力,并结合SiC/GaN等宽禁带半导体器件的应用,进一步提升充电桩及户用储能系统前端AC/DC变换级...

拓扑与电路 PFC整流 功率模块 户用光伏 ★ 4.0

具有低输入电流总谐波失真的准谐振无桥PFC变换器

Quasi-Resonant Bridgeless PFC Converter With Low Input Current THD

Navid Molavi · Mohammad Maghsoudi · Hosein Farzanehfard · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月

本文提出了一种准谐振无桥功率因数校正(PFC)变换器。通过引入一个低电压应力的辅助开关,有效改善了输入电流的总谐波失真(THD)。得益于谐振工作模式,该拓扑减小了无源元件的尺寸与数值,并实现了高达4倍的电压增益,提升了变换效率与功率密度。

解读: 该技术在阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩产品线中具有重要应用价值。随着户用储能与充电桩对高功率密度和高效率的要求日益严苛,该准谐振无桥PFC拓扑能有效降低开关损耗并减小磁性元件体积,助力产品小型化。建议研发团队关注其辅助开关的控制策略,评估其在提升iSolarCloud智能运维平台下设备电能...

拓扑与电路 PFC整流 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

一种带ZVS电容的无桥图腾柱PFC变换器

A Totem-Pole Bridgeless PFC Converter With ZVS Capacitor

Fanguang Shao · Kai Yao · Xinbo Ruan · Zhiqiang Xing 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月

本文提出了一种带有零电压开关(ZVS)电容的无桥图腾柱功率因数校正(PFC)变换器。该拓扑实现了全线周期内的功率开关ZVS,并简化了ZVS电流检测。文章详细分析了变换器的工作原理,并针对ZVS电容与电感之间的谐振进行了线性化处理。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。图腾柱PFC是提升高功率密度变换器效率的核心拓扑,通过ZVS电容优化,可进一步降低开关损耗,提升整机效率。建议研发团队关注该方案在SiC或GaN器件下的应用表现,以优化户用储能系统(如PowerStack)中的AC/DC前端性能,...

拓扑与电路 PFC整流 功率模块 光伏逆变器 ★ 4.0

用于无桥PFC的混合低频开关

Hybrid Low-Frequency Switch for Bridgeless PFC

Qingyun Huang · Alex Q. Huang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月

针对传统无桥PFC电路中低导通电阻Si SJ MOSFET成本高的问题,本文提出了一种混合低频开关方案。该方案通过并联高导通电阻、低成本的Si SJ MOSFET与大电流、低成本的Si二极管,在保证效率的同时显著降低了系统成本。

解读: 该技术主要针对PFC(功率因数校正)环节的成本优化,对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能变流器(PCS)具有重要参考价值。在户用产品中,成本控制是核心竞争力,通过采用这种混合开关方案,可以在不牺牲效率的前提下,有效降低整机物料成本(BOM)。建议研发团队评估该混合开关在单相逆变器及小功率PFC电路中...

拓扑与电路 PFC整流 功率模块 户用光伏 ★ 4.0

具有高压直流母线和小电感特性的宽范围无桥PFC变换器

Extended Range Bridgeless PFC Converter With High-Voltage DC Bus and Small Inductor

Hamed Valipour · Mohammad Mahdavi · Martin Ordonez · Peter F. Ksiazek 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

全球电网电压水平差异大(208-480 Vrms),传统PFC变换器难以兼容宽电压范围,导致产品设计冗余及成本增加。本文提出一种新型无桥PFC变换器,通过高压直流母线设计和小电感应用,有效解决了宽输入电压范围下的功率因数校正问题,降低了生产成本。

解读: 该技术对阳光电源的户用及工商业组串式逆变器具有重要参考价值。目前阳光电源在全球市场布局广泛,面临不同国家电网电压差异的挑战。该拓扑通过优化PFC级设计,能显著提升逆变器对宽输入电压的适应性,减少因电压等级不同而进行的硬件改型,从而降低研发与库存成本。同时,小电感设计有助于提升功率密度,符合阳光电源产...

拓扑与电路 PFC整流 功率模块 ★ 3.0

一种用于中频应用、具有低导通损耗和简单结构的改进型无桥SEPIC PFC变换器

Modified Bridgeless SEPIC PFC Converter With Reduced Conduction Losses and Simple Structure for Medium-Line-Frequency Applications

Mingyuan Ding · Haoyu Li · Lei Zhao · Zhiliang Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

本文提出了一种基于SEPIC电路的改进型无桥PFC变换器。该拓扑通过完全消除输入二极管并减少导通路径上的半导体器件数量,显著降低了导通损耗。该电路结构简单,特别适用于中频航空电子等对效率要求较高的功率因数校正应用场景。

解读: 该技术主要涉及高效率PFC整流拓扑,对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩产品线具有参考价值。在户用逆变器前端或充电桩AC/DC模块中,通过优化PFC级拓扑减少导通损耗,有助于提升整机峰值效率并降低散热成本。虽然该研究侧重于中频航空应用,但其‘减少导通路径’的设计思路可用于优化阳光电源现有充电桩...

拓扑与电路 PFC整流 功率模块 ★ 3.0

一种用于服务器电源的具有简单栅极驱动电路和高效率的新型无桥功率因数校正变换器

New Bridgeless Power Factor Correction Converter With Simple Gate Driving Circuit and High Efficiency for Server Power Applications

Young-Dal Lee · Dongmin Kim · Seung-Hyun Choi · Gun-Woo Moon 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月

本文提出了一种新型双向开关无桥功率因数校正(PFC)变换器。该拓扑结构简单、控制便捷,通过优化整流二极管的反向恢复特性,显著提升了在高功率应用场景下的转换效率,解决了传统无桥PFC中浮地驱动带来的复杂性问题。

解读: 该研究聚焦于高效率PFC拓扑优化,对阳光电源的户用及工商业光伏逆变器、电动汽车充电桩产品线具有参考价值。在充电桩及户用逆变器前端,提升PFC级的效率是降低整体损耗、减小散热器体积的关键。该拓扑通过简化驱动电路降低了设计复杂度,有助于提升产品功率密度。建议研发团队关注其在宽禁带半导体(如SiC/GaN...