基于局部相变辅助细丝切换的低功耗高速Ag2S阈值开关器件

Low-Power and High-Speed Ag2S-Based Threshold Switching Device Enabled by Local Phase Transition-Assisted Filamentary Switching

Seongjae Heo · Sunhyeong Lee · Hyunsang Hwang · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月

随着物联网（IoT）和嵌入式系统对低功耗电子设备的需求持续增长，人们对能够在低电压下以极小的泄漏电流运行，同时保持快速开关速度的新型器件的需求日益增加。为应对这一挑战，我们开发了一种基于硫化银（Ag₂S）的两端阈值开关（TS）器件，该器件在低电压下兼具低泄漏电流和快速开关速度的特性。基于Ag₂S的TS器件与金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）串联集成，形成了适用于陡斜率场效应晶体管（FET）应用的1T - 1S阵列。基于Ag₂S的TS器件的泄漏电流低至2 pA，与MOSFET...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于Ag2S的阈值开关技术虽属于微电子器件领域的基础研究，但其核心特性与我们在光伏逆变器、储能系统等产品中面临的功率控制和能效管理挑战存在潜在关联性。 该技术最突出的优势在于超低漏电流（2pA）和快速开关速度（1ns@2V），这与我们在大规模储能系统和分布式光伏应用中...