高东辉张伶鳦陈家海黄煜炜 · 电子元件与材料 · 2025年1月 · Vol.44

针对现有混合集成抗辐射DC/DC变换器输出功率小、效率低的问题，优化功率拓扑并采用抗辐射GaN开关管，研制了一款输入70～120 V、输出28 V/150 W的高效混合集成样机。详细研究了半桥拓扑、控制电路及GaN隔离驱动设计，完成了混合集成工艺分析，并计算了器件损耗。测试结果表明，在相同体积下，输出功率由120 W提升至150 W，功率密度提高25％，额定效率从85.4％提升至91.3％，验证了高功率密度、高效率设计的有效性。

解读: 该GaN器件DC/DC变换器技术对阳光电源多个产品线具有重要应用价值。首先，91.3%的高效率特性可优化ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的DC/DC变换环节，提升整机效率。其次，25%的功率密度提升对车载OBC和充电桩等空间受限场景具有显著价值。此外，70-120V输入范围的设计思路可用于储能...