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功率器件技术 SiC器件 功率模块 拓扑与电路 ★ 4.0

一种基于有源钳位模块的串联SiC MOSFET电压均衡方法

A Voltage Balancing Method for Series-Connected SiC MOSFETs Based on Active Clamping Modules Operating Under Hard Switching Conditions

Yibo Jiang · Shuai Shao · Weiqiang Zhou · Zhi Gao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月

本文提出了一种在硬开关条件下实现串联SiC MOSFET电压均衡的方法。通过引入包含辅助开关和钳位电容的有源钳位模块(ACM),有效解决了开关不同步及换流过程中的电压不平衡问题,并建立了相应的数学模型。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器及大功率储能变流器(如PowerTitan系列)向更高电压等级(如1500V/2000V)及更高功率密度演进,SiC器件的应用日益广泛。由于单管SiC耐压限制,串联技术是提升系统电压的关键。该研究提出的有源钳位均衡方案,能有效解决高压工况下SiC器件的动态均压难题,提升功率模...