作者未知 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本研究提出一种基于同心金属-氧化物-半导体结构中横向耦合效应的SiO2基电容性突触器件。该器件在低编程电压VPGM = -2.5 V下实现了24的CHCS/CLCS比。TCAD仿真表明，当氧化层有效正电荷密度超过2.8×10¹¹ cm⁻²时，仅5×10⁹ cm⁻²的微小变化即可显著影响反型区电容值，从而实现多态电容调控。通过调节脉冲数量和操作电压，可实现精细的电导调制。器件具备良好的可扩展性，且更换栅介质材料有望进一步提升开关比。横向耦合效应为电荷俘获型器件性能优化提供了新途径。

解读: 该SiO2基电容性突触器件的多态电容调控技术对阳光电源功率器件及控制系统具有前瞻性启发。其低电压(-2.5V)实现24倍电容比的横向耦合效应，可借鉴应用于ST储能变流器和SG逆变器的栅极驱动优化，降低SiC/GaN器件开关损耗。神经形态计算的多态调制特性为构网型GFM控制算法提供新思路，可增强Pow...