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具有厚AlN势垒的AlN/GaN基HEMT器件在低压射频前端应用中表现出优异的功率与噪声性能
Thick-AlN-barrier AlN/GaN-based HEMTs with superior power and noise performance for low-voltage RF front-end applications
Haochen Zhang · Mingshuo Zhang · Hu Wang · Xinchuan Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
本文报道了一种基于厚AlN势垒的AlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于低压射频前端电路。通过优化AlN势垒层厚度，显著提升了器件的二维电子气密度与输运特性，在低工作电压下实现了高饱和电流与优异的射频功率增益。同时，器件表现出极低的最小噪声系数，归因于增强的沟道电场均匀性与抑制的短沟道效应。该HEMT在3 V以下供电时仍保持高性能，适用于5G及物联网等低功耗无线通信系统。
解读: 该AlN/GaN HEMT技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。厚AlN势垒结构在低压条件下实现的高功率密度和低噪声特性，可应用于新一代SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的射频控制电路，提升系统EMI性能。特别是在3V以下的低压工作特性，适合优化车载OBC和充电桩等对功耗敏感的产品的通信...
偏置电压噪声对非弹性库珀对隧穿放大器
ICTA）的影响
Ho Eom · Close Modal · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
实验表明，采用直流供电的非弹性库珀对隧穿放大器（ICTA）可实现与交流驱动的约瑟夫森参量放大器相当的增益和噪声性能。结合实验数据与仿真结果，我们发现只要低频电压噪声（表现为约瑟夫森频率线宽展宽）小于放大带宽，ICTA的噪声接近量子极限。当约瑟夫森频率线宽半高全宽为5.6 MHz时，在11 MHz带宽内实现了20 dB增益，噪声低于量子极限的1.7倍。
解读: 该量子放大器噪声抑制技术对阳光电源高精度测量系统具有理论参考价值。研究揭示的低频噪声与带宽关系原理，可启发ST储能变流器和SG逆变器中微弱信号检测电路的优化设计。特别是在电网电压波动监测、故障电弧检测等应用场景，通过控制偏置电压噪声带宽与信号带宽的比例关系，可提升PowerTitan储能系统的电网适...