Han Xiong · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文提出了一种集成了频率选择性吸波体与能量选择表面（ESS）功能的结构，通过嵌入PIN二极管实现低功率下透波与高功率下吸波功能的动态切换。该结构由上层宽带吸波结构和下层可调频率选择结构组成。在低功率时，5.6–6.4 GHz频段内插入损耗低于0.5 dB，反射系数小于−10 dB，具备良好吸波性能；高功率时，反射与透射系数均小于−10 dB，实现高效吸收。相比现有ESS设计，该结构可有效切换透射与吸收频带，兼具防护与隐身功能，且具有高吸收效率和低插入损耗。

解读: 该能量选择性吸波体技术对阳光电源电磁兼容设计具有重要参考价值。在ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统中，SiC/GaN高频功率器件产生的电磁干扰是关键挑战，该技术提出的可切换透射/吸收机制可启发开发智能EMI抑制方案：正常运行时保持通信频段透射，故障或高干扰工况下切换至吸收模式。其宽...