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功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 ★ 4.0

碳化硅MOSFET的近似SPICE建模

Approximate SPICE Modeling of SiC MOSFETs

Pawel Piotr Kubulus · Janus Dybdahl Meinert · Szymon Beczkowski · Asger Bjørn Jørgensen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

摘要:近年来,宽带隙(WBG)半导体的应用使SPICE电路仿真软件面临巨大挑战,需要以较低的计算量对快速振荡瞬态进行准确评估。WBG半导体SPICE建模的主要局限之一是现有软件中缺乏内置模型,这迫使人们使用包含大量非线性方程的行为建模。采用这种实现方式会导致高昂的计算成本和收敛性问题。本文提出一种对WBG半导体进行近似建模的通用方法,利用现代开源SPICE软件的功能,通过将非线性模型公式与SPICE模型公式解耦来提高收敛性,并将非线性模型更新的计算成本转移到SPICE软件之外。所提出的建模方法适...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项SiC MOSFET近似SPICE建模技术具有重要的工程应用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,我们正大规模采用碳化硅等宽禁带半导体器件来提升产品的功率密度和转换效率。然而,在产品研发阶段,传统SPICE仿真工具在处理SiC器件的快速开关瞬态和高频振荡时面临...

光伏发电技术 ★ 5.0

基于风洞试验的光伏阵列风场特性

Wind field characteristics of photovoltaic arrays based on wind tunnel tests

Meilin Liab · Tao Chenc · Shijun Mad · Fei Liud 等8人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.300

摘要 中国西北沙漠地区大规模建设光伏电站显著扰动近地表风场,不仅带来运行风险,还加剧了风沙危害。本研究以九墩滩光伏电站为原型,通过风洞实验,系统研究了九个来流风向角和四种风速梯度条件下光伏阵列对风场的影响。研究表明,气流在接触阵列后总体呈现多个典型阶段,包括气流抬升、加速、涡旋生成及恢复过程。阵列引起的风速场扰动具有明显的垂直分层特征,其中3–12 cm高度范围内扰动最强,并随高度增加而减弱。迎风侧风速廓线呈“J”型分布,边界层结构清晰;而在背风侧,风速普遍偏离对数分布规律。光伏阵列对气流具有显...

解读: 该风洞试验研究揭示光伏阵列对近地风场的扰动特性,对阳光电源西北荒漠电站设计具有重要参考价值。研究发现阵列内风速最大降幅达99.84%,可指导SG系列逆变器散热系统优化设计,特别是225°主导风向下的通风布局。建议结合iSolarCloud平台集成风速监测数据,动态调整组件间距与支架高度参数,优化MP...