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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

光照调控有机薄膜形貌及其晶体管性能

Light-Induced Regulation of Organic Thin-Film Morphology and Transistor Performance

秦浩然 · 张楠 · 李恩龙 · 谢安 等5人 · 电子元件与材料 · 2025年1月 · Vol.44

有机场效应晶体管(OFETs)因具备低成本、可溶液加工及大面积制备优势,在光电器件领域备受关注,但其性能受限于有机半导体载流子迁移率低及环境稳定性差。本文提出一种光照调控复合有机薄膜形貌的新策略。研究表明,光照可调节半导体与绝缘聚合物间的热动力作用,增强相分离程度、相纯度及晶区连通性,从而显著提升载流子传输。在150 mW/cm²光照下制备的OFETs表现出最优性能,迁移率达0.42 cm²/(V·s),开关比达3×10⁶,阈值电压为2.2 V。该方法为高性能有机光电器件的制备提供了有效途径。

解读: 该光照调控有机薄膜技术对阳光电源的功率器件和光伏产品线具有重要参考价值。通过光照调控提升有机半导体性能的方法,可应用于SG系列逆变器的光电传感器优化,提高MPPT追踪精度。同时,该技术在有机场效应晶体管方面的突破,为开发新型GaN功率器件提供思路,有望应用于ST储能变流器和车载OBC等产品的功率模块...