作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月

基于n型给体 - 受体（D - A）共轭共聚物的有机场效应晶体管（OFETs）处于有机电子学研究的前沿。然而，对其电荷传输的基本方面，特别是相关陷阱的理解仍然有限。在本研究中，我们发现基于N2200的n型OFETs的低频噪声（LFN）呈现1/f特性。漏极电流（$I_{\text {D}}$）的归一化功率谱密度，即（$S_{\text {Id}}$/$I_{\text {D}}^{2}$），与（$g_{\text {m}}$/$I_{\text {D}}$）²的变化情况相似，其中$g_{\text...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于n型有机场效应晶体管（OFETs）低频噪声特性的研究，为我们在新能源电力电子器件的可靠性评估和性能优化方面提供了重要的方法论参考。 该研究通过低频噪声（LFN）分析揭示了有机半导体器件中的陷阱态密度与性能退化机制，这与我们在光伏逆变器和储能变流器中面临的功率器件可...