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表面羟基化聚合物衍生SiCN陶瓷以提升SiCN/PVDF复合材料的介电性能
Surface hydroxylation of polymer-derived SiCN ceramics to improve the dielectric performance of the SiCN/PVDF composites
Weiye Zhang · Dandan Sun · Jiahe Shen · Weiliang Liu · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
近年来，介电电容器因其安全性高、环境友好、功率密度大以及使用寿命长等优点而受到广泛关注。然而，受限于介电材料本身的性能瓶颈，介电电容器的能量存储密度仍不理想。因此，开发新型高性能介电材料势在必行。本研究采用表面羟基化的SiCN陶瓷（H-SiCN）作为填料，通过热压法制备了具有优异介电特性和较高能量存储密度的H-SiCN/PVDF复合材料。在对SiCN进行表面羟基化处理后，H-SiCN/PVDF复合材料的介电常数略有提高，介电损耗降低，且击穿强度显著增强。当H-SiCN的体积分数为20 vol%时...
解读: 该高性能介电材料技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。H-SiCN/PVDF复合材料实现12.23 J/cm³的储能密度提升,可应用于ST系列PCS的直流支撑电容和PowerTitan储能系统的薄膜电容优化,提升功率密度和系统可靠性。表面羟基化处理增强介电强度的方法,可为SiC功率器件的封装绝缘材...
钨掺杂Bi₂/₃Cu₃Ti₄O₁₂陶瓷介电与电学性能的研究
Investigation of dielectric and electrical properties of tungsten doped Bi2/3Cu3Ti4O12 ceramics
Biswajit Jena · Dinesh Prajapati · Vishnu Shankar Rai · Anup Kumar · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
提升介电材料性能对储能技术的发展至关重要。本研究探讨了钨（W）取代对Bi₂/₃Cu₃Ti₄O₁₂（BCTO）陶瓷的介电性能、电学特性及微观结构的影响。采用半湿法工艺制备W掺杂的BCTO陶瓷，并在1173 K下烧结8小时。通过X射线衍射分析验证了所合成的Bi₂/₃Cu₃Ti₄₋ₓWₓO₁₂（x = 0.00, 0.05, 0.10, 0.20）即BCTWO陶瓷的相形成情况，结果显示存在少量次要相。利用X射线光电子能谱（XPS）确定各元素的氧化态，同时采用能量色散X射线光谱（EDX）分析以确认相纯度...
解读: 该钨掺杂BCTO陶瓷介电材料研究对阳光电源储能系统具有重要参考价值。其高介电常数(ε'~7.8×10³)特性可应用于ST系列PCS的直流侧支撑电容和PowerTitan储能系统的滤波电容优化,提升功率密度和能量存储效率。材料的介电损耗控制技术可为SiC/GaN功率器件的栅极驱动电路提供低损耗电容方案...