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一种基于谐振电压限制的LC-DAB变换器在线快速启动策略
An Online Safe-Fast Start-Up Strategy for LC-DAB Converter Based on Resonant-Voltage-Limitation
Lingfeng Jiang · Minqian Wang · Haiguo Tang · Yuxuan Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
与L-DAB变换器不同，LC-DAB变换器在启动时不仅需限制电感电流，还需重点关注谐振电容的过压问题，以防介质击穿导致永久损坏。本文提出了一种基于谐振电压限制的在线快速启动策略，在确保系统安全的前提下，有效缩短了LC-DAB变换器的启动时间。
解读: LC-DAB拓扑在阳光电源的PowerTitan及PowerStack等储能变流器（PCS）中具有重要应用价值，尤其是在高功率密度和高效率需求场景下。谐振电容的过压保护是提升系统可靠性的关键技术难点。该论文提出的在线快速启动策略，能够有效解决储能系统在黑启动或频繁启停过程中的电容过压风险，提升设备运...
关于功率耗散在FDSOI纳米线FET器件击穿后行为中的作用
On the role of power dissipation in the Post-BD behavior of FDSOI NanoWire FETs
R.Goya · A.Crespo-Yepe · M.Port · R.Rodrigue 等5人 · Solid-State Electronics · 2025年12月 · Vol.230
介电击穿（Dielectric Breakdown）与栅介质的渐进性老化相关，一直是CMOS器件中最严重的失效机制之一。随着器件尺寸的不断缩小，新的器件结构和/或材料被引入，因此有必要在这些新结构中从器件乃至电路层面评估击穿（BD）的影响。本文采用被测器件所消耗的能量和功率作为关键参数，对采用高k栅介质的大规模缩放FDSOI纳米线晶体管中的介电击穿及击穿后行为进行了表征。实验结果表明，在传统介电击穿之外，器件完整性还出现了新的有害效应。
解读: 该FDSOI纳米线FET介质击穿研究对阳光电源功率器件可靠性设计具有重要参考价值。研究揭示的击穿后功率耗散机制可应用于ST系列PCS和SG逆变器中SiC/GaN器件的热管理优化,通过能量耗散监测实现器件退化预警。该机理可集成至iSolarCloud平台的预测性维护算法,提升储能系统PowerTita...