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互补型场效应晶体管中重离子效应引起的单粒子瞬态分析
Analysis on Single-Event Transients in Complementary FETs With Heavy Ion Effects
Jonghwa Jeong · Jang Hyun Kim · Hyunwoo Kim · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月
本研究首次报道了重离子在互补型场效应晶体管（CFET）中引发的单粒子瞬态（SET）现象。鉴于α粒子和重离子等辐射粒子在地面环境中亦可导致硅材料内产生电子-空穴对并引发电流扰动，进而造成软错误，本文采用商用TCAD工具对CFET中的SET特性进行了评估。通过对比门极全环绕纳米片FET与CFET在反相器工作下的瞬态响应，发现当重离子垂直入射于沟道中心且轨迹半径小于50 nm时，CFET因垂直堆叠结构而表现出更强的抗辐射能力。进一步研究表明，直接集成于衬底上的晶体管主导了辐射响应行为，而引入底部介质隔...
解读: 该CFET单粒子瞬态抗辐射研究对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。研究揭示的垂直堆叠结构抗辐射优势及底部介质隔离（BDI）设计，可指导ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中SiC/GaN功率模块的抗干扰设计。高海拔光伏电站和户外储能系统面临宇宙射线引发的软错误风险，该研究提出的CFET架构优化方案...
Omni 3D：支持无处不在供电、信号与时钟的BEOL兼容三维逻辑
Omni 3D: BEOL-Compatible 3-D Logic With Omnipresent Power, Signal, and Clock
Suhyeong Choi · Carlo Gilardi · Paul Gutwin · Robert M. Radway 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
本文介绍了 Omni 3D——一种由与后段制程（BEOL）兼容的晶体管自然实现的三维堆叠器件架构。Omni 3D 将金属层与三维堆叠的 n 沟道场效应晶体管（nFET）和 p 沟道场效应晶体管（pFET）交错排列。因此，信号和电源布线层能够从各个方向细粒度地访问场效应晶体管（FET）有源区，从而最大限度地提高了三维标准单元设计的灵活性。这与背面电源分配网络（BSPDN）、互补场效应晶体管（CFET）和堆叠场效应晶体管等方法形成了鲜明对比。重要的是，Omni 3D 的布线灵活性分别通过用于单元间和...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，Omni 3D三维集成芯片架构技术为我们的核心产品带来了重要的性能提升机遇。该技术通过后端工艺兼容的三维晶体管堆叠，实现了2倍能效延迟积（EDP）改进和1.5倍面积缩减，这对光伏逆变器和储能系统的功率控制芯片具有直接价值。 在光伏逆变器领域，我们的MPPT算法、并网控制和...