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基于数字孪生的储能系统电池热管理优化与寿命预测
Reliability Issues and Degradation Mechanisms of p-GaN Gated E-Mode AlGaN/GaN Power HEMTs: A Critical Review
J. Ajayan · Asisa Kumar Panigrahy · Sachidananda Sen · Maneesh Kumar 等5人 · IEEE Access · 2025年5月
储能系统电池热管理对性能和寿命至关重要,传统控制策略缺乏预见性。本文提出基于数字孪生的热管理优化方法,通过实时热仿真和寿命预测模型优化冷却策略,延长电池循环寿命。
解读: 该数字孪生热管理技术可应用于阳光电源ST系列储能系统。通过虚实融合的热管理优化,提升电池一致性和循环寿命,降低热管理能耗,实现储能系统的精细化温度控制,为大规模储能电站提供智能热管理方案。...
基于双栅器件技术的p-GaN功率HEMT单片集成双向栅极ESD保护方案
Monolithically Integrated Bidirectional Gate ESD Protection Scheme of p-GaN Power HEMT by Dual-Gate Device Technology
Yanfeng Ma · Sheng Li · Mingfei Li · Weihao Lu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
本文提出了一种用于 p - 氮化镓(p - GaN)功率高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成双向栅极静电放电保护方案,其中双栅极 HEMT 被设计为放电晶体管。采用该保护方案后,正向/反向传输线脉冲失效电流从 0.156 A/0.08 A 提高到 1.36 A/5.26 A,且几乎不牺牲 p - GaN 功率 HEMT 的性能。由于双栅极器件通过共享漂移区具备双向开关特性,该方案仅需一个放电晶体管;因此,与具有相同保护能力的现有方案相比,该保护方案的面积可有效节省 40.8%。
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项p-GaN功率HEMT的双向栅极静电放电(ESD)保护技术具有重要的战略价值。GaN功率器件因其高频、高效、高功率密度特性,正成为光伏逆变器和储能变流器等核心产品实现小型化、轻量化的关键技术路径。 该技术通过双栅结构实现单管双向保护,将正向/反向TLP失效电流分别提升...
用于深度热能利用的大温升储能型热变换器
Large-temperature-lift energy storage heat transformer for deep thermal energy utilization
Zhixiong Ding · Wei Wu · Applied Energy · 2025年4月 · Vol.384
摘要 可再生能源普遍具有品位低和不稳定性等特点,限制了其广泛利用。需要通过能量升级技术将不可直接利用的可再生能源转化为可用能源,同时还需要配备储能系统以解决能源供给与终端用户需求之间的时间与强度错配问题。因此,基于解吸-吸收循环的储能型热变换器(ESHT)被提出,并被视为一种有前景的解决方案。为进一步降低热输入温度并提升循环性能,实现对可再生能源的深度利用,本文提出并研究了一种新型两级ESHT循环。首先开展了初步实验,并利用实验结果验证了所建立的动态模型的准确性。随后,对比分析了基本型ESHT循...
解读: 该两级储能热变压器技术对阳光电源ST系列储能系统具有重要参考价值。研究实现了55-60°C低温热源下35-50°C温升,储能密度从51提升至96.1 kWh/m³,为PowerTitan等大型储能系统的热管理优化提供新思路。可探索将吸收式热泵技术集成到PCS热管理中,利用系统余热实现温度提升,降低冷...
邻近高压对汽车应用SOI功率器件特性与可靠性的影响
Influences of Adjacent High Voltage on the Characteristics and Reliability of SOI Power Devices for Automotive Application
Ran Ye · Jiaojing Bian · Hao Luo · Qiao Kang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月
基于0.18微米工艺节点的绝缘体上硅(SOI)双极互补金属氧化物半导体 - 双扩散金属氧化物半导体(BCD)技术因其卓越的特性在汽车应用中广受欢迎。在实际的集成电路中,为了平衡性能和芯片面积,器件通常会紧密排列。对于p型横向双扩散金属氧化物半导体(pLDMOS)而言,无论采用何种布局配置,其漏极和源极均会施加高电压。如此一来,如果功率器件与pLDMOS相邻,施加在pLDMOS上的高电压将对功率器件的特性产生不可预测的影响。在本研究中,针对汽车应用,全面研究了这种相邻高电压在室温(25°C)和高温...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对SOI BCD工艺中功率器件邻近高压影响的研究具有重要的技术参考价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,功率半导体器件的可靠性直接影响系统效率和使用寿命,而该研究揭示的邻近高压效应正是高功率密度设计中的关键挑战。 该论文系统分析了pLDMOS器件在不同布局配置...
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