Yijie Sun · Hanwen Zhang · Rong Chen · Diangeng Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

高功率晶闸管中电流分布不均会导致局部结温（Tlj）显著升高，威胁器件可靠性。本文提出了一种基于峰值杂散栅极电流（ipsg）的温度敏感电参数监测方法，通过建立简化关断模型，实现了对局部结温的在线监测。

解读: 该研究关注高功率半导体器件的结温监测与可靠性，虽然阳光电源目前的主流产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）主要采用IGBT或SiC MOSFET，但在大功率集中式逆变器或特定高压直流输电应用中，晶闸管类器件仍有应用场景。该监测方法对提升大功率电力电子设备的运行可靠性具有参考价值，建议研...