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排序:
功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

多芯片IGBT功率模块强迫振荡分析与抑制的精确多端口网络模型

Accurate Multiport Network Model for Forced Oscillations Analysis and Suppression of Multichip IGBT Power Modules

Ankang Zhu · Hongyi Gao · Shuoyu Ye · Yuanye Xia 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

本文提出了一种多端口网络方法,用于分析多芯片功率模块中的强迫振荡问题。实验表明,多芯片模块在开关过程中由于寄生参数分布复杂,会产生多个谐振点。该模型能有效解析这些振荡现象,为优化模块设计、抑制高频振荡及提升功率模块的开关性能提供了理论支撑。

解读: 该研究直接关联阳光电源核心产品(如组串式/集中式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器)中使用的IGBT功率模块。随着阳光电源产品向高功率密度和更高开关频率演进,多芯片并联带来的寄生参数引起的强迫振荡是导致EMI问题及器件失效的关键因素。通过引入该多端口网络建模方法,研发团队可...