找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
拓扑与电路 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

基于准方波零电压开关滞环电流控制的高效通信功率转换

Efficient Talkative Power Conversion With Quasi-Square-Wave Zero-Voltage Switching Hysteretic Current Control

Stefan Mönch · Carsten Kuring · Xiaomeng Geng · Peter A. Hoeher 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月

本文提出了一种改进的模拟滞环电流控制方法,在无需额外硬件的情况下,通过将数据注入功率变换器的控制信号,实现了功率与数据的同步传输。研究以半桥GaN变换器为例,验证了该方法在保持99.1%高效率的同时,实现了高效的准方波零电压开关(ZVS)性能。

解读: 该技术通过控制信号实现功率与数据同步传输,无需额外硬件,对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品具有重要参考价值。随着GaN器件在小型化、高频化产品中的普及,该方案有助于优化电路拓扑,提升功率密度。建议研发团队关注其在iSolarCloud智能运维平台数据回传中的潜在应用,通过功率链路实现设备状态...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

基于PCB嵌入式GaN-on-Si半桥及驱动IC与片上栅极和直流母线电容

PCB-Embedded GaN-on-Si Half-Bridge and Driver ICs With On-Package Gate and DC-Link Capacitors

Stefan Moench · Richard Reiner · Patrick Waltereit · Fouad Benkhelifa 等13人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

本文提出了一种通过将两个GaN-on-Si IC嵌入PCB中,实现低电感半桥及驱动器封装的方法,并集成了片上栅极和直流母线电容。该技术解决了传统单片集成方案中外部电容互连寄生参数大的难题,有效降低了功率回路电感,提升了高频开关性能。

解读: 该技术通过PCB嵌入式封装显著降低了寄生电感,是提升功率密度和开关频率的关键路径。对于阳光电源的组串式光伏逆变器及户用储能系统,采用GaN器件并优化封装设计,可进一步减小体积、提升转换效率。建议研发团队关注该嵌入式封装工艺在下一代高频化、小型化逆变器中的应用潜力,特别是在追求极致功率密度的户用产品线...