找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
用于SiC基VHF功率转换的波形整形Class Φ谐振栅极驱动器
Class Φ Resonant Gate Driver With Waveform Shaping for SiC-Based VHF Power Conversion
Prateek Wagle · Ioannis Nikiforidis · Paul D. Mitcheson · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
针对SiC MOSFET在高频应用中因输入电容大及电压摆幅要求高而面临的驱动挑战，本文提出了一种Class Φ谐振栅极驱动拓扑。通过在6.78 MHz Class E逆变器功率级中应用该设计，并利用状态空间分析进行性能优化，有效提升了高频功率转换效率。
解读: 该技术对阳光电源的下一代高功率密度逆变器研发具有重要参考价值。随着光伏逆变器和储能PCS向更高开关频率（VHF）演进以减小磁性元件体积，SiC器件的驱动损耗成为瓶颈。Class Φ谐振驱动技术能有效降低栅极驱动损耗，提升系统整体效率。建议研发团队关注该拓扑在组串式逆变器及PowerTitan系列储能...
EF类与Φ类逆变器的广义多级建模与调优算法以消除迭代重调
Generalized Multistage Modeling and Tuning Algorithm for Class EF and Class Φ Inverters to Eliminate Iterative Retuning
Ioannis Nikiforidis · Juan M. Arteaga · Christopher H. Kwan · Nunzio Pucci 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
针对EF类和Φ类逆变器在高频高功率下寄生效应显著、传统设计方法精度不足且需反复人工调试的问题，本文提出了一种广义多级建模与调优算法。该方法通过精确建模消除了设计迭代过程，提升了高频逆变器设计的效率与可靠性。
解读: 该研究关注高频逆变器拓扑的精确建模与参数优化，对于阳光电源在追求更高功率密度和效率的下一代组串式光伏逆变器及微型逆变器研发中具有参考价值。随着宽禁带半导体（SiC/GaN）的应用，寄生参数对电路性能影响加大，该算法有助于缩短研发周期，减少样机调试迭代。建议研发团队关注该建模方法在提升高频变换效率及降...