找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 5.0

一种适用于多移相调制DAB变换器瞬态直流偏置的简化通用抑制方法

Simplified Universal Suppression Method for Transient DC Bias of DAB Converters With Multiple Phase-Shift Modulation

Tong Li · Yun Zhang · Jiawen Sun · Zhen Huang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月

针对传统方法仅适用于特定调制或功率流方向的局限性,本文提出了一种简化通用瞬态直流偏置抑制(SU-TDCBS)方法。该方法通过相移解耦技术,将多移相(MPS)调制下的瞬态直流偏置问题简化为单移相下的等效问题,有效提升了DAB变换器在复杂工况下的运行稳定性。

解读: 该技术对阳光电源的储能业务至关重要。DAB(双向DC-DC)变换器是PowerTitan和PowerStack等储能变流器(PCS)的核心拓扑。在电网波动或功率快速切换场景下,瞬态直流偏置易导致变压器饱和及电流冲击,影响系统可靠性。该SU-TDCBS方法通过简化控制逻辑,能显著提升PCS在多移相调制...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

非对称与双沟槽SiC MOSFET在雪崩条件下的失效模式研究

Investigation and Failure Mode of Asymmetric and Double Trench SiC mosfets Under Avalanche Conditions

Xiaochuan Deng · Hao Zhu · Xuan Li · Xing Tong 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月

本文通过实验与有限元仿真,研究了来自两家厂商的1200V非对称及双沟槽碳化硅(SiC)MOSFET在单脉冲非钳位感性开关(UIS)应力下的表现。分析了雪崩时间随雪崩能量的变化规律,以及临界雪崩能量对温度的依赖性,揭示了其失效机理。

解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器及PowerTitan等储能系统中大规模应用1200V SiC MOSFET,器件的鲁棒性直接决定了系统可靠性。本文研究的UIS雪崩失效模式对逆变器在极端电网波动或短路故障下的保护策略设计具有重要指导意义。建议研发团队参考该失效机理,优化驱动电路的退饱和保护阈值,并在功...