找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
6.5kV碳化硅MOSFET栅极偏置对宽温度范围内反向恢复特性的影响
Impact of 6.5-kV SiC MOSFET Gate Bias on Reverse Recovery Over a Wide Temperature Range
Xinyuan Du · Ahmed Ismail · Eric Allee · Abu Shahir Md Khalid Hasan 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
本文研究了6.5kV碳化硅（SiC）平面MOSFET在室温至175°C范围内，负栅极偏置对其反向恢复行为的影响。文章对比了低压与中压SiC器件在不同栅极偏置下的第三象限特性差异，并深入探讨了负栅极偏置对电导调制及反向恢复过程的作用机制。
解读: 该研究针对6.5kV高压SiC器件，直接关联阳光电源在大型地面光伏电站及高压储能系统（如PowerTitan系列）中的核心功率模块技术。随着系统电压等级向1500V甚至更高迈进，高压SiC器件的应用是提升功率密度和转换效率的关键。文章关于负栅极偏置对反向恢复影响的分析，对优化阳光电源组串式逆变器及储...
用于通用输入电压应用的具有扩展增益的无桥PFC改进型SEPIC整流器
Bridgeless PFC-Modified SEPIC Rectifier With Extended Gain for Universal Input Voltage Applications
Ahmed M. Al Gabri · Abbas A. Fardoun · Esam H. Ismail · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年8月
本文提出了一种新型单相交流-直流无桥PFC整流器，通过引入倍压级结构，提升了低输入电压下的转换效率，并降低了开关管的电压应力。该拓扑去除了输入整流桥，且在每个开关周期内电流路径上仅有两个半导体开关导通，有效降低了导通损耗。
解读: 该拓扑结构在提高效率和降低电压应力方面的优势，对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。在户用逆变器中，该技术可优化前端PFC级的效率，提升整机转换效率；在充电桩产品线中，该无桥SEPIC架构有助于减小体积并提升功率密度，特别适用于宽输入电压范围的应用场景。建议研发团队评估该拓...