找到 5 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
三电平F型逆变器
Three-Level F-Type Inverter
Charles Odeh · Arkadiusz Lewicki · Marcin Morawiec · Dmytro Kondratenko · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月
随着6.5kV、1200A等级IGBT模块的普及，无二极管变体拓扑（如三电平T型、NPC逆变器）在中压应用中展现出广阔前景，其优势在于元件数量少且导通损耗低。本文重点探讨了该电压等级下三电平F型逆变器的拓扑特性与应用潜力。
解读: 该研究探讨的三电平F型拓扑及高压IGBT应用，对阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能变流器（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高电压等级（1500V及以上）演进，优化拓扑以降低导通损耗、减少器件数量是提升系统效率和功率密度的关键。建议研发团队关注该拓扑在高压工况下的...
串并联模块化电力转换系统的电压/电流均流技术综述
A Review of Voltage/Current Sharing Techniques for Series–Parallel-Connected Modular Power Conversion Systems
Dajun Ma · Wu Chen · Xinbo Ruan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月
随着高压应用场景增多，现有开关器件（如6.5kV IGBT）的耐压限制成为瓶颈。本文综述了解决该问题的多种方法，包括开关串联、多电平变换器等技术，旨在提升电力电子系统的电压/电流处理能力。
解读: 该技术对于阳光电源的集中式逆变器（如SG系列）及大型储能系统（如PowerTitan）至关重要。随着光伏系统向1500V甚至更高电压等级演进，以及储能系统对高压直流母线架构的需求，模块化串并联技术是提升系统功率密度和效率的核心。建议研发团队关注文中提到的均压均流控制策略，以优化大功率IGBT模块的串...
考虑湿气侵入的铁路用6.5 kV IGBT模块焊料层退化功率循环测试
The Solder Layers Degradation of 6.5 kV IGBT Modules for Railway in Power Cycling Tests Considering Moisture Intrusion
Yuxing Yan · Luhong Xie · Erping Deng · Weijie Wang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
针对铁路应用中6.5 kV IGBT模块面临的热机械应力与湿热环境耦合工况，本文开展了考虑湿气侵入的功率循环测试（PCT）。研究对比了常规PCT与考虑湿气影响的PCT下模块焊料层的退化机制，揭示了环境湿度对高压功率器件寿命评估的关键影响。
解读: 该研究对阳光电源的高压大功率产品线（如集中式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有重要参考价值。随着阳光电源产品向更高电压等级（如1500V/2000V系统）及更严苛户外环境部署，功率模块的可靠性是核心竞争力。本文提出的考虑湿气侵入的功率循环测试方法，可优化公司在复杂环境下的器件选型...
面向铁路应用的6.5 kV高压IGBT模块高温反偏
HTRB）测试方法研究
Yuxing Yan · Weijie Wang · Erping Deng · Zuoyi Wang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
本文提出了一种针对铁路用6.5 kV高压IGBT模块的高温反偏（HTRB）及高压高温高湿反偏（HV-H3TRB）测试的温度稳定方法。针对传统气候箱难以满足多芯片并联高压模块温度稳定性的问题，该方法通过优化测试环境与热管理策略，提升了高压功率器件可靠性评估的准确性。
解读: 该研究关注高压IGBT模块的可靠性测试，对阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高电压等级（如1500V及以上）发展，核心功率器件的耐压与高温稳定性至关重要。文中提出的温度稳定测试方法可优化公司在功率模块选型、老化测试及寿命预测...
超高压4H-SiC门极可关断晶闸管与绝缘栅双极型晶体管在高功率应用中的评估
Evaluation of Ultrahigh-Voltage 4H-SiC Gate Turn-OFF Thyristors and Insulated-Gate Bipolar Transistors for High-Power Applications
Daniel Johannesson · Muhammad Nawaz · Staffan Norrga · Hans-Peter Nee · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月
本文利用计算机辅助设计模型，评估了20-50 kV超高压4H-SiC P-i-N二极管、IGBT及GTO晶闸管的静态与动态性能。研究重点分析了在超高压应用场景下，这些宽禁带半导体器件的导通压降及开关特性，为高功率电力电子系统的设计提供了理论依据。
解读: 该研究探讨的20-50kV超高压SiC器件目前主要应用于超高压直流输电或特种工业电源领域，超出了阳光电源现有光伏逆变器（最高1500V）及储能系统（PowerTitan系列等）的电压等级需求。然而，随着宽禁带半导体技术的演进，SiC在高压领域的性能优势显著。建议研发团队持续关注超高压SiC器件的损耗...