找到 3 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

基于耦合外部并联谐振支路的多相逆变器均流方法

Current Sharing for a Multiphase Inverter Based on Coupled External Parallel Resonant Branches for Wireless Power Transfer System

Rongbin Liu · Ronghuan Xie · Xiaoying Chen · Xingkui Mao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

本文提出了一种用于多相无线电能传输(WPT)系统的新型无源均流方法。对于一个 N 相逆变器,在电感 - 电容 - 电容串联(LCC - S)补偿的 WPT 系统中会有 N 个补偿电感。所提出的方案引入了 N 个与这 N 个补偿电感相耦合的外部并联谐振支路。通过这种方式,在每个环流回路中引入了极大的阻抗,从而实现相电流的平衡。该方法无需在电能传输通道中添加额外的额定功率等级的无源元件。所提方法采用了两个耦合电感,易于实现。文中还介绍了两种新型的耦合电感集成结构。详细分析了所提方法的数学模型和均流原...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于耦合外部并联谐振支路的多相逆变器均流技术在无线电能传输领域具有重要的参考价值,特别是对我们在电动汽车充电和储能系统的技术延伸具有启发意义。 该技术的核心创新在于通过无源均流方法解决多相逆变器的电流不平衡问题。对于阳光电源而言,这一技术路线与我们在大功率光伏逆变器和...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 三电平 ★ 4.0

用于抑制GaN器件串扰并降低反向导通损耗的三级门极驱动

Three-Level Gate Drive for Crosstalk Suppression of GaN Devices With Low Reverse Conduction Loss

Yishun Yan · Lurenhang Wang · Mingcheng Ma · Xuchong Cai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月

基于氮化镓(GaN)的桥接结构中的串扰问题限制了GaN器件在高电压水平下的高开关速度和高频应用。本文提出了一种三电平栅极驱动方法,用于在开通和关断的两个死区时间内抑制串扰并降低反向导通损耗。电容 - NMOS电路提供了低阻抗的米勒电流路径,以降低正、负串扰电压幅值。通过一个延迟脉冲模块,精确施加负的栅 - 源电压以抑制正串扰电压峰值,并在死区时间内使GaN器件在栅 - 源零电压下关断,从而降低反向导通损耗。负栅 - 源电压的值取决于齐纳二极管,具有灵活可调性。所提出的方法易于控制且成本较低,无需...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项三电平栅极驱动技术针对GaN器件串扰抑制的创新方案具有重要的战略价值。当前,阳光电源在光伏逆变器和储能变流器领域正积极推进高频化、高功率密度的技术演进,而GaN功率器件凭借其优异的开关特性和高频能力,是实现这一目标的关键使能技术。 该技术的核心价值在于有效解决了GaN...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 多电平 ★ 4.0

一种考虑源极公共电感的SiC MOSFET多电平自驱动门极驱动器用于串扰抑制

A Multilevel Self-Driving Gate Driver of SiC MOSFET for Crosstalk Suppression Considering Common-Source Inductance

Kaiyuan Hu · Ming Yang · Xinmei Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

与传统的硅基器件相比,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)展现出更优异的特性。然而,高开关速度所导致的高电压变化率(dv/dt)使其更易受到由米勒电容和共源电感引起的串扰尖峰的影响,从而增加了功率器件误触发的风险。现有的大多数方法所采用的数学模型仅考虑了米勒电容,并且采用负关断电压方法,这会增加器件的负栅源电压应力,缩短其使用寿命。本文提出了一种同时考虑米勒电容和共源电感的串扰电压数学模型,并引入了一种多级自驱动栅极驱动器来抑制正、负串扰电压。该方法采用电阻 - 电容 - 二极管和...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对SiC MOSFET多电平自驱动栅极驱动器的技术具有重要的战略价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,阳光电源正在大规模推进SiC功率器件的应用,以提升产品的功率密度和系统效率。 该技术的核心价值在于系统性解决了SiC MOSFET高速开关带来的串扰问题。...