找到 1 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于互补型GaN HEMT的高频脉冲激光驱动器

High-Frequency Pulsed Laser Driver Using Complementary GaN HEMTs

View Document · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本文试图揭示一种用于高频光探测与测距(LiDAR)应用中控制激光源的高效激光驱动器。具体的激光雷达要求包括20 MHz的激光重复频率、10 ns的脉冲持续时间以及50 W的瞬时功率。用于自动驾驶车辆的激光雷达的功率效率至关重要,其总输入功率应控制在15 W以内。为提高功率效率,本文提出了一种半桥脉冲激光驱动器,其高端采用耗尽型氮化镓(D 型 GaN)晶体管,低端采用增强型(E 型)GaN 晶体管。此外,还针对 D 型 GaN 晶体管引入并分析了一种高端栅极驱动器,由于不存在体二极管效应,该驱动器...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文提出的互补型GaN HEMT高频脉冲驱动技术具有重要的参考价值和技术延伸意义。虽然研究聚焦于激光雷达应用,但其核心技术路径与我司在高频功率变换领域的技术需求高度契合。 该技术的关键创新在于采用耗尽型GaN(D-mode)与增强型GaN(E-mode)构成的半桥拓扑,...