找到 1 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

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储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

失配栅极环路电感对并联SiC MOSFET阈值离散性演化及电流均衡的影响

Influence of Mismatched Gate Loop Inductance on Threshold Dispersity Evolution and Current Sharing of Parallel SiC MOSFETs

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

对于高容量应用而言,将多个碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)并联至关重要。然而,要实现并联器件栅极电路的完全对称颇具挑战,这会导致栅极电感不匹配,进而可能引发电流不平衡问题。本文着重研究在栅极电感不匹配的情况下阈值电压分散性的演变及其对均流演变的影响。研究发现,栅极电感不匹配会使阈值电压分散性随栅极应力时间的增加而增大,从而导致均流性能恶化。对一个由两个器件并联的升压转换器进行了测试,结果表明,包含下冲的最小关断栅极电压的差异是导致阈值电压分散性增大的主要诱因。此外,本...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于并联SiC MOSFET栅极回路电感失配的研究具有重要的工程应用价值。在我们的大功率光伏逆变器和储能变流器产品中,为实现更高的功率密度和效率,普遍采用多管并联技术。该论文揭示的栅极电感失配导致阈值电压分散性增加,进而引发电流不均衡的机理,直接关系到产品的长期可靠性和...