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排序:
电动汽车驱动 宽禁带半导体 SiC器件 功率模块 ★ 4.0

缓解高功率密度

U)WBG功率模块封装中绝缘问题的应对策略:侧重于替代封装材料的综合评述

Pujan Adhikari · Mona Ghassemi · IEEE Transactions on Industry Applications · 2024年12月

功率模块封装的未来取决于碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)和金刚石等(超)宽带隙[(U)WBG]材料的发展。然而,突破这些材料的应用界限在绝缘系统方面面临重大挑战,绝缘系统必须承受相关的严苛参数。这些挑战带来的后果包括高电场、空间电荷积累、电树枝化和局部放电(PD),所有这些都可能导致功率模块故障。本文深入探讨了(U)WBG功率模块绝缘材料面临的这些挑战,以及近期旨在缓解三相点(TPs)电场应力和解决局部放电问题的研究。文章首先探讨了三相点的高电场问题,接着研究了在高频、高温等实际运行条件下,封...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这篇关于超宽禁带功率模块封装绝缘技术的综述具有重要战略意义。随着公司在光伏逆变器和储能系统领域持续推进高功率密度、高效率产品开发,SiC等宽禁带半导体器件的应用已成为核心技术方向。然而,论文揭示的绝缘系统挑战——高电场应力、空间电荷积累、电树枝和局部放电问题——正是制约我们...