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采用纳米晶片状带材的无气隙变压器设计
Gapless Transformer Design by Using Nanocrystalline Flake Ribbon
Xinru Li · Xufu Ren · Zhichao Luo · Borong Hu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年7月
在功率磁元件中,气隙可防止磁芯饱和,但离散气隙会加剧边缘效应,增加绕组与铁芯损耗。高功率应用中因材料电磁性能限制,难以实现无气隙设计。本文采用新型纳米晶片状带材(NFR)构建高频变压器的无气隙磁芯,在数百kHz下兼具适宜的磁导率与饱和磁密,显著提升功率密度。实验在5.5 kW、100 kHz双有源桥变换器中对比了铁氧体与传统纳米晶变压器,NFR变压器效率最高,绕组损耗分别降低33.2%和67.1%,总损耗测量误差小于6.1%。
解读: 该纳米晶片状带材无气隙变压器技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高频隔离变压器设计具有重要价值。在100kHz开关频率下,NFR材料可实现无气隙设计,绕组损耗降低33-67%,直接提升PowerTitan储能系统和1500V光伏系统的功率密度与效率。该技术特别适用于双有源桥DAB拓...