找到 3 条结果 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics
高频无线电力传输技术特刊主编寄语
Guest Editorial Special Issue on High-Frequency Wireless Power Transfer Technology
Fei Lu · Grant Covic · Shu Yuen Ron Hui · Fernando Briz · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月
无线电力传输WPT技术在交通电气化、电网、消费电子、医疗和太空等众多新兴应用中日益关键。其非接触特性在脏污或超洁净、高温、水下、地下和外太空等恶劣环境条件下具有优势。当前WPT系统性能与开关频率、耦合度、初次级磁元件伏安需求和组件质量密切相关,这些是功率容量、功率密度和效率的关键决定因素。为提升WPT技术运行安全性和可靠性,抑制和消除高频磁场引起的电磁干扰EMI和电动势EMF问题至关重要。该特刊从74篇投稿中录用31篇,涵盖高频谐振变换器技术、高频电磁场约束与发射抑制、抗失调与传输距离增强、高频...
解读: 该高频WPT特刊对阳光电源无线充电技术发展有全面指导价值。特刊涵盖的多MHz IPT系统、SiC全桥逆变器和三相高频IPT系统与阳光新能源汽车OBC无线充电模块的技术路线一致。高频电磁场约束和EMI/EMF抑制技术为阳光无线充电产品满足安全标准提供了解决方案。抗失调和传输距离增强技术(圆柱螺线管耦合...
一种降低电流总谐波畸变的模块化多电平变换器-电池储能系统扩展电平模型预测控制方法
An Extended-Level Model Predictive Control Method With Reduced Current THD for Modular Multilevel Converter-Battery Energy Storage System
Zhan Liu · Quangen Li · Jiawei Fu · Hua Zhou 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年3月
模块化多电平变换器-电池储能系统(MMC-BESS)有助于提升电网可靠性,但其模型预测控制(MPC)面临计算量大、输出电流质量不佳及权重因子选取困难等问题。本文提出一种扩展电平MPC方法,在负载MPC阶段直接计算输出电压参考值,并通过逐步优化确定输出电平,采用优化电流误差面积的代价函数以降低电流总谐波畸变(THD)。每控制周期计算复杂度恒为5,与子模块数量无关。针对环流控制设计两种策略,并采用独立代价函数避免权重因子整定,将荷电状态(SoC)平衡反馈引入环流参考实现相间与桥臂间SoC均衡。仿真与...
解读: 该扩展电平MPC方法对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。其核心优势在于:1)计算复杂度恒定为5且与子模块数量无关,可显著降低控制器成本,适合大规模MMC-BESS部署;2)通过优化电流误差面积降低THD,可提升ST储能变流器并网电能质量,满足严格的电网谐波...
功率半导体器件寿命试验的统计分析与寿命预测
Statistical Analysis of Power Semiconductor Devices Lifetime Test and Lifetime Prediction
Xia Zhou · Zhicheng Xin · Zan Wu · Kuang Sheng · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年11月
功率半导体器件是电力电子系统的核心部件,也是最脆弱的部分。本文收集了2010年以来硅(Si)和碳化硅(SiC)功率半导体器件的功率循环试验(PCT)数据,分析了不同封装技术、测试方法、产品类型及制造商等因素对器件寿命的影响。将功率半导体模块分为三类:采用铝线键合和焊料的常规模块、单一改进型(焊料或键合线改进)和双重改进型(焊料与键合线均改进)模块,并分别拟合其寿命模型。结果表明,所拟合的寿命预测公式具有较高精度,预测寿命与实验数据的平均比值为1.4–2.8倍。
解读: 该功率半导体寿命预测技术对阳光电源全产品线具有重要价值。针对ST储能变流器和SG光伏逆变器,可基于不同封装技术(常规/单一改进/双重改进)的寿命模型,优化SiC/Si IGBT模块选型,提升系统25年全生命周期可靠性。对电动汽车OBC和电机驱动产品,功率循环试验数据可指导SiC器件在高温高频工况下的...