找到 1 条结果 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics
面向芯片级热流密度超过1000 W/cm²的高功率密度碳化硅功率模块的集成热管理
Integrated Thermal Management for a High-Power-Density Silicon Carbide Power Module With Die-Level Heat Flux Over 1000 W/cm²
Weiyu Tang · Xiangbo Huang · Zhixin Chen · Kuang Sheng 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年12月
随着碳化硅(SiC)器件持续微型化,芯片级热流密度已达1 kW/cm²,高效的热管理对功率电子器件的载流能力与可靠性至关重要。本文提出一种集冷却策略,结合低热阻封装(纳米银烧结直连散热器)与集成对流冷却结构(歧管微通道,MMCs)。经数值优化后制备三种SiC模块原型,最终设计在2.16 L/min流量下实现9.85 mm²·kW⁻¹的超低热阻,成功散出超过1000 W/cm²热流密度(总功耗1500 W),体积紧凑(约30 cm³)。相比传统液冷模块,微通道冷却热阻和泵功分别降低80%和83%。...
解读: 该集成热管理技术对阳光电源高功率密度产品具有重要应用价值。针对ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统,纳米银烧结+歧管微通道方案可将SiC模块热阻降低80%,支撑更高开关频率和电流密度,有效提升系统功率密度和可靠性。对于SG系列1500V光伏逆变器,该技术可在紧凑空间内实现超1000 ...