找到 4 条结果 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics

排序:
储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

一种适用于不同参数逆变器的统一虚拟阻抗重塑方法

A Unified Virtual Impedance Reshaping Method for Inverters with Different Parameters

Qiang Li · Pengju Sun · Jun Zhou · Meng Wang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月

多并联逆变器系统中因参数差异导致各逆变器输出阻抗不同,影响并联系统整体阻抗特性,可能引发共模电流与交互电流的谐振失稳。本文分析了不同频段谐振成因,提出分频段阻抗重塑目标,并基于统一虚拟阻抗重塑策略设计电压前馈函数以实现输出阻抗一致性调节。该方法在提升系统对电网阻抗宽范围适应性的同时,有效抑制电网电压谐波、共模及交互电流谐振。理论分析与实验结果验证了所提方法的有效性。

解读: 该统一虚拟阻抗重塑技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。在多机并联场景下,不同批次储能变流器因参数差异导致的输出阻抗不一致问题,可通过该方法的分频段阻抗重塑策略和电压前馈函数设计实现统一调节,有效抑制共模谐振和环流。该技术可增强ST储能系统对弱电网的宽范...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 5.0

重复脉冲功率应力下SiC门极可关断晶闸管退化机理分析

Degradation Mechanism Analysis for SiC Gate Turn-Off Thyristor Under Repetitive Pulse Power Stress

Haoshu Tan · Juntao Li · Yinghao Meng · Lin Zhang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年5月

SiC门极可关断(GTO)晶闸管被视为提高脉冲功率应用功率密度和效率的先进方案。全面研究循环脉冲应力下的长期退化和机理,器件重复承受5.0kA约40微秒正弦波脉冲应力。阈值栅极电流降低和栅极漏电流增加是主导退化模式。界面测量揭示SiC/SiO2界面阳极和栅极间定位的碳原子增强电子俘获是阈值电流不稳定性的主要原因。扫描电镜图像显示循环脉冲应力最终导致热失控以及阳极-栅极边界定位的空洞和裂纹形成。

解读: 该SiC GTO退化机理研究对阳光电源SiC器件可靠性评估有重要参考价值。阈值电流和界面缺陷退化机理分析可应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器的SiC器件选型和可靠性设计,提高长期稳定性。该研究对PowerTitan大型储能系统的脉冲功率应力评估和寿命预测有指导意义,可优化器件工作条件并延长使用寿命...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

用于移相全桥变换器全负载范围ZVS的多模式控制方案

Multimode Control Scheme for Full-Load Range ZVS of Phase Shift Full-Bridge Converter

Fangang Meng · Zifan Wang · Jinmeng Wu · Feng Li 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年12月

本文提出一种多模式控制(MMC)方案,以解决传统移相全桥(PSFB)变换器滞后桥臂开关零电压切换(ZVS)范围窄的问题。通过建立ZVS过程模型,并依据该模型切换变换器工作模式,实现在全负载范围内无需谐振电感或辅助电路的ZVS。设计并实现了一台额定输出功率480 W、输出电压13.5 V的PSFB样机,实验结果表明,与传统双模式控制相比,MMC在轻载时可填补ZVS盲区并抑制硬开关振荡,轻载效率提升0.31%–31.13%。

解读: 该移相全桥全负载ZVS技术对阳光电源DC-DC变换器产品线具有重要应用价值。可直接应用于ST系列储能变流器的DC-DC隔离级、车载OBC充电机的功率变换模块及充电桩DC-DC变换单元。多模式控制方案通过建模切换工作模式,无需额外谐振电感或辅助电路即可实现全负载ZVS,轻载效率提升最高达31.13%,...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

一种基于漏极电压摆动的SiC MOSFET快速短路检测方法

A Fast Short Circuit Detection Method for SiC MOSFETs Based on Drain Voltage Swing

Zekun Li · Bing Ji · Kun Tan · Puzhen Yu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年3月

尽管碳化硅(SiC)MOSFET性能优越,但其热容量小、开关速度快,对短路保护提出了更高要求。本文提出一种基于漏源电压(V<sub>DS</sub>)摆动的快速可靠短路保护方法,可在器件达到临界损伤前迅速检测并关断。该方法在150 ns和24 ns内分别实现Type-I与Type-II短路的超快检测;利用现有RC缓冲电路实现短路检测与主电路保护的集成,不改变其原有功能;结合低成本数字栅极驱动器中的新型采样保持(S/H)电路,提升工况适应性。实验平台验证了该方案的有效性与重复性。

解读: 该SiC MOSFET快速短路检测技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器具有重要应用价值。其150ns超快检测响应可显著提升功率模块可靠性,特别适用于PowerTitan大型储能系统中高频开关场景的器件保护。基于Vds摆动的检测方法与现有RC缓冲电路集成,无需额外硬件成本,可直接应用于...