总电离剂量对LDMOS晶体管性能及热载流子退化的影响

Total Ionizing Dose Effects on the Performance and Hot Carrier Degradation of LDMOS Transistors

Bikram Kishore Mahajan · Yen-Pu Chen · M. Asaduz Zaman Mamun · Muhammad Ashraful Alam · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月

横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管作为射频和功率放大器，在包括卫星通信和高能物理实验等多种系统中有着广泛的应用。虽然这些系统中使用的LDMOS晶体管存在诸如热载流子退化（HCD）等固有的可靠性问题，但它们同时还会受到高辐射影响。因此，有必要了解辐射过程中产生的界面陷阱与这些晶体管在HCD应力下产生的界面陷阱之间的相互作用。在本文中，我们：1）让LDMOS晶体管承受不同总电离剂量（TID）的伽马辐射和HCD应力；2）使用超级单脉冲电荷泵（CP）技术来量化界面陷阱（<inline-for...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，本论文关于LDMOS晶体管在辐射环境下的可靠性研究具有重要的参考价值。LDMOS器件作为功率半导体的关键组成部分，广泛应用于我司光伏逆变器、储能变流器等核心产品的功率转换电路中，其可靠性直接影响系统的长期稳定运行。 论文揭示的总电离剂量效应（TID）与热载流子退化（HCD...