找到 2 条结果 · 电动汽车驱动

排序:
电动汽车驱动 SiC器件 ★ 4.0

空间环境中热电发电机的结构与运行参数优化及性能提升

Structure and operation parameter optimization and performance improvement of thermoelectric generator in outer space

Yuan Hea · Chun Yang · Yu-Bing Tao · Ya-Ling He · Energy Conversion and Management · 2025年6月 · Vol.334

摘要 热电发电机(TEG)在废热利用和清洁能源发电中发挥着重要作用。然而,目前对TEG结构与其安全温度之间的关系关注不足,且尚未有关于TEG在外层空间应用的研究报道。本研究建立了在外层空间运行的TEG三维热-电-力耦合模型,并对其电学与力学性能进行了分析。首先,对比了三种不同结构和工作温差下的典型TEG工况,阐明了TEG应用于外层空间时所具有的优势(高效率与高功率密度)以及面临的问题(高热应力)。随后,系统分析了TEG的结构参数与运行参数对其电学和力学性能的影响,确定了关键设计变量并揭示了变量间...

解读: 该热电发电机热-电-机械耦合优化研究对阳光电源SiC功率器件热管理具有重要参考价值。文中铜排应力集中问题与我司ST系列储能变流器、SG光伏逆变器的母排设计高度相关。其多参数协同优化方法可应用于电动汽车驱动系统功率模块散热设计,特别是SiC器件在高功率密度工况下的热应力控制。三维耦合建模思路可移植至充...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

基于高质量超薄缓冲层的高射频性能增强型GaN-on-Si HEMT器件,输出功率达5.32 W/mm

High RF Performance E-Mode GaN-on-Si HEMTs With Pₒᵤₜ of 5.32 W/mm Using High-Quality Ultrathin Buffer

Jiale Du · Bin Hou · Ling Yang · Yachao Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年3月

在本文中,我们报道了一种在高质量超薄缓冲层上制备的高性能增强型氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),该超薄缓冲层是通过在高电阻率(HR)硅衬底上采用两步渐变(TSG)过渡结构实现的。由于TSG过渡结构能够使位错迅速湮灭,该超薄缓冲层的总位错密度(TDD)低至 ${1}.{7}\times {10} ^{{9}}$ cm $^{-{2}}$ ,这有助于改善电流和射频功率性能。因此,在该结构上制备的增强型GaN HEMT的最大漏极电流达到620 mA/mm,阈值电压( ${V}_{\tex...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于硅基衬底的增强型GaN HEMT技术具有重要的战略价值。该技术通过创新的两步梯度过渡结构实现了超薄缓冲层的高质量外延生长,将位错密度降低至1.7×10⁹ cm⁻²,这为功率器件性能的突破奠定了基础。 在光伏逆变器和储能变流器领域,该技术展现的5.32 W/mm输出...