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一种用于室温下垂直磁隧道结器件确定性翻转的无磁场高效写入脉冲方案
A Field-Free and Power-Efficient Write Pulse Scheme for Deterministic Switching in Perpendicular Magnetic Tunnel Junction Devices at Room Temperature
Jie Liu · Pingfan Ning · Delin Zhang · Pingjuan Niu 等5人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
摘要：采用包含重金属（HMs）和拓扑绝缘体（TIs）作为自旋源材料的垂直磁化磁隧道结（p - MTJs），在自旋转移矩（STT）或电压控制磁各向异性（VCMA）的辅助下实现无场确定性切换。反铁磁体和过渡金属二硫属化物（TMDs）也是无场切换自旋源材料的可选方案。通过修正的朗道 - 栗弗席兹 - 吉尔伯特（LLG）方程建立的单畴紧凑模型，描述了上述不同自旋轨道矩（SOT）通道材料在输入不同写入脉冲方案后的动力学特性。切换时间和功耗与写入脉冲方案中脉冲宽度和幅度参数的变化之间存在显著的相关性。尖峰形...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于垂直磁隧道结（p-MTJ）无外场确定性开关技术的研究，为我们在储能系统和智能控制领域的产品升级提供了潜在的技术路径。该技术通过自旋轨道矩（SOT）、自旋转移矩（STT）和电压控制磁各向异性（VCMA）的协同作用，实现了室温下的低功耗磁性存储开关，其86%以上的功耗和...
用于神经形态应用的电解质门控光电晶体管
Electrolyte-gated optoelectronic transistors for neuromorphic applications
Jinming Bi1Yanran Li1Rong Lu1Honglin Song1Jie Jiang2 · 半导体学报 · 2025年2月 · Vol.46
传统冯·诺依曼架构在并行计算与自适应学习方面存在效率瓶颈，难以满足高效高速计算的需求。神经形态计算凭借高并行性与超低功耗的优势，被视为突破传统计算局限、实现下一代人工智能的重要途径。其中，基于电解质门控晶体管的人工突触器件因低能耗、多模态感知与多功能集成能力而备受关注。结合光子学与电子学优势的光电神经形态器件在该领域展现出巨大潜力。本文综述了电解质门控光电神经形态晶体管的最新进展，涵盖器件结构、工作机理、神经形态功能及其在人工视觉、痛觉与触觉系统中的应用，并总结了当前挑战与未来发展方向。
解读: 该电解质门控光电神经形态晶体管技术对阳光电源智能控制系统具有前瞻性启发价值。其低功耗、高并行计算特性可应用于：1）iSolarCloud智能运维平台的边缘计算节点，实现光伏阵列故障的实时神经形态诊断，降低云端算力依赖；2）ST储能系统的多模态传感融合，通过光电协同感知实现电池状态的自适应学习与预测性...
一种增强电动汽车动态无线充电在横向偏移下输出稳定性和功率能力的新型集成优化方法
Novel Integrated Optimization to Enhance Output Stability and Power Capability in EV Dynamic Wireless Charging Under Lateral Misalignment
Ke Shi · Chunsen Tang · Tianxu Feng · Peiyue Wang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文针对电动汽车动态无线充电系统中，因发射线圈切换及横向偏移导致的输出波动问题，提出了一种双向反向集成磁耦合器及准谐振LCC拓扑参数优化方法。通过互感波动比分析，有效提升了系统在复杂工况下的输出稳定性和功率传输能力。
解读: 该研究聚焦于无线充电技术的动态传输与抗偏移能力，虽然阳光电源目前的充电桩业务主要集中在有线直流快充领域，但无线充电代表了未来自动驾驶及智慧交通的潜在演进方向。文中提出的LCC谐振拓扑优化与磁耦合设计方法，可为阳光电源在未来布局大功率无线充电产品、提升充电效率及系统鲁棒性提供技术储备。建议研发团队关注...