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电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

基于多波长激光的瞬态热反射技术用于GaN HEMT沟道温度监测

Multiwavelength Laser-Based Transient Thermoreflectance for Channel-Temperature Monitoring of GaN HEMTs

Yali Mao · Haochen Zhang · Yunliang Ma · Hongyue Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

对于氮化镓(GaN)器件而言,同时具备高空间分辨率和高时间分辨率的沟道温度表征方法需求迫切,但目前仍较为缺乏。在这项工作中,我们开发了一种基于多波长激光的瞬态热反射技术(MWL - TTR),利用320纳米连续波(CW)激光监测沟道温度,532纳米连续波激光监测金属触点,实现了亚微米级空间分辨率和纳秒级时间分辨率。我们对以往常被忽略的320纳米带隙以上激光在温度监测中引起的光电流效应进行了定量研究并予以消除。通过MWL - TTR实现了热反射系数(<inline - formula xmlns:...

解读: 从阳光电源的业务角度来看,这项多波长激光瞬态热反射技术对我们的核心产品具有重要的战略价值。GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)是光伏逆变器和储能变流器中功率转换模块的关键器件,其热管理性能直接影响系统效率、可靠性和使用寿命。 该技术的核心价值在于实现了亚微米空间分辨率和纳秒级时间分辨率的沟...