基于贝叶斯优化的具有目标击穿电压的硅雪崩光电二极管设计与优化

Design and Optimization of Silicon Avalanche Photodiodes With Desired Breakdown Voltage Using Bayesian Optimization

Sara Ghazvini · Gerd Schuppener · Wenjuan Fan · Srinath Ramaswamy 等5人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月

在本研究中，我们引入了一种创新的优化方法，用于雪崩光电二极管（APD）的设计与优化，该方法结合了解析计算、贝叶斯优化（BO）和技术计算机辅助设计（TCAD）模拟。待优化的参数包括 p 区和 i 区的厚度及掺杂浓度。我们的方法旨在使 APD 满足特定的击穿电压（BV）要求，同时实现卓越的性能特征，如增益、响应度和带宽。通过贝叶斯优化，我们能够高效地探索设计空间，以确定最优配置。与以往的研究相比，优化后的 APD 性能得到了提升，在具备所需击穿电压的同时，拥有更高的响应度、增益和截止频率。优化过程成...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文提出的雪崩光电二极管（APD）优化设计方法具有一定的技术参考价值，但与核心业务的直接关联度有限。 **技术关联性分析** 雪崩光电二极管主要应用于光通信和光探测领域，而阳光电源的主营业务集中在功率电子和能源转换系统。尽管如此，该研究中采用的**贝叶斯优化方法**和...